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恩智浦半导体
BUK7Y9R9-80E
N沟道80 V，在LFPAK56 9.9 mΩ的标准电平MOSFET
3
a
2.4
003aaj322
10
V
GS
(V)
8
003aai877
1.8
6
V
DS
= 14V
V
DS
= 64V
1.2
4
0.6
2
0
-60
0
60
120
T
j
(°C)
180
0
0
20
40
Q
G
（ NC ）
60
图。 12.归漏极 - 源极导通电阻
因子作为结温的函数
图。 13.栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值
V
DS
I
D
V
GS （ PL ）
V
GS （ TH）
V
GS
Q
GS1
Q
GS2
Q
G（ TOT ）
Q
GD
003aaa508
10
4
003aai878
C
（PF ）
C
国际空间站
10
3
Q
GS
C
OSS
C
RSS
10
2
10
-1
1
10
10
2
图。 14.栅极电荷波形定义
V
DS
(V)
图。 15.输入，输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
值
BUK7Y9R9-80E
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二〇一三年二月二十零日
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