位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第180页 > BUK7Y9R9-80E > BUK7Y9R9-80E PDF资料 > BUK7Y9R9-80E PDF资料1第5页
恩智浦半导体
BUK7Y9R9-80E
N沟道80 V，在LFPAK56 9.9 mΩ的标准电平MOSFET
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
003aai583
δ = 0.5
0.2
0.1
0.05
10
-2
0.02
单发
P
δ=
T
tp
tp
t
T
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图。 5 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
10.特点
表7中。
符号
V
（ BR ） DSS
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
图。 9 ;图。 10
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
图。 9
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
图。 9
I
DSS
漏极漏电流
V
DS
= 80 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 80 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 175 °C
I
GSS
栅极漏电流
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
R
DSON
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 175 °C;
图。 11 ;图。 12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
图。 11
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
BUK7Y9R9-80E
民
80
72
2.4
-
1
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
3
-
-
0.13
-
2
2
-
7.3
最大
-
-
4
4.5
-
10
500
100
100
24.9
9.9
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
mΩ
mΩ
静态特性
V
GS （ TH）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
I
D
= 25 A; V
DS
= 64 V; V
GS
= 10 V;
图。 13 ;图。 14
-
-
-
51.6
14.1
14.4
-
-
-
nC
nC
nC
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
保留NXP B.V. 2013年所有权利
产品数据表
二〇一三年二月二十零日
5 / 13
