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BUK7Y9R9-80E
二〇一三年二月二十零日
LF
PA
K
N沟道80 V，在LFPAK56 9.9 mΩ的标准电平MOSFET
产品数据表
1.概述
使用在LFPAK56 （ SO8功率）封装标准水平的N沟道MOSFET
的TrenchMOS技术。该产品的设计和符合AEC Q101
标准用于高性能汽车应用。
2.特点和好处科幻TS
Q101标准
额定重复性雪崩
适于由于175℃的评价热苛刻的环境
与V真正的标准电平门
GS （ TH）
大于1伏的等级在175℃下
3.应用
12 V ， 24 V和48 V汽车系统
电机，灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关
4.快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
条件
T
j
= 25°C ;吨
j
≤ 175 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
图。 1
T
mb
= 25 °C;
图。 2
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
图。 11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A; V
DS
= 64 V;
图。 13 ;图。 14
-
14.4
-
nC
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
80
89
195
单位
V
A
W
静态特性
漏极 - 源极导通状态
阻力
-
7.3
9.9
mΩ
动态特性
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
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