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CY14B101LA
CY14B101NA
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度-65 ................................
C
+150
C
最大累计存储时间：
在150
C
环境温度...................... 1000小时
在85
C
环境温度.................... 20年
最大结温................................. 150
C
在V电源电压
CC
相对于V
SS
...........- 0.5 V至4.1 V
施加电压到输出
高Z状态.................................... -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输入电压....................................... -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
瞬态电压（ < 20纳秒）上
任何引脚对地电位................. -2.0 V到V
CC
+ 2.0 V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） ............................................. ....为1.0W
表面贴装无铅焊接
温度（3秒） ......................................... 260
C
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） .... 15毫安
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ） ......................... > 2001年V
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
–40
C
+85
C
V
CC
2.7 V至3.6 V
DC电气特性
在该
工作范围
参数
V
CC
I
CC1
描述
电源电压
平均V
CC
当前
t
RC
= 20 ns的
t
RC
= 25纳秒
t
RC
- 45纳秒
无输出负载得到的值
(I
OUT
= 0 mA时）
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于持续时间T的平均电流
商店
所有输入循环的CMOS电平。
无输出负载得到的值
(I
OUT
= 0 mA时）
所有的输入不在乎。对于平均电流
持续时间T
商店
CE > （V
CC
– 0.2 V).
V
IN
< 0.2 V或> （V
CC
– 0.2 V).
非易失性循环后待机电流水平
就完成了。
输入是静态的。 F = 0兆赫
V
CC
=最大，V
SS
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，V
SS
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
CE或OE > V
IH
或BHE / BLE > V
IH
或WE < V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
I
OUT
= -2毫安
I
OUT
= 4毫安
2.0
V
SS
– 0.5
2.4
–
–
–
–
–
V
CC
+ 0.5
0.8
–
0.4
V
V
V
V
测试条件
民
2.7
–
典型值
[19]
3.0
–
最大
3.6
70
70
52
单位
V
mA
mA
mA
I
CC2
I
CC3
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
电流
t
RC
= 200纳秒，V
CC （典型值）
, 25 °C
平均V
帽
目前在
自动存储周期
V
CC
待机电流
–
–
–
35
10
–
mA
mA
I
CC4
I
SB
–
–
–
–
5
5
mA
mA
I
IX[20]
输入漏电流（除
HSB ）
输入漏电流（ HSB）
–1
–100
–1
–
–
–
+1
+1
+1
A
A
A
I
OZ
断态输出漏电流V
CC
=最大，V
SS
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
笔记
19.典型值是在25℃ ，V
CC
= V
CC （典型值）
。未经100％测试。
20. HSB引脚有我
OUT
= -2 μA的V
OH
2.4 V时，主动HIGH和LOW驱动器被禁用。当他们被允许标准的V
OH
和V
OL
是有效的。这
参数的特点，但未经测试。
文件编号： 001-42879修订版*○
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