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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1310页 > CY14B101LA-BA45XI
CY14B101LA
CY14B101NA
1兆位（ 128千× 8/64 K＆times 16 ）的nvSRAM
1兆位（ 128千× 8/64 K＆times 16 ）的nvSRAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
20纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为128千× 8 （ CY14B101LA ） ，或一个64 K × 16
(CY14B101NA)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
STORE到QuantumTrap发起的非易失性元件
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 ％到-10 ％操作
工业温度
■
套餐
32引脚小外形集成电路（ SOIC ）
44- / 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）II型
48引脚小外形封装（ SSOP ）
48球细间距球栅阵列（ FBGA ）
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
功能说明
赛普拉斯CY14B101LA / CY14B101NA是一个快速静态RAM
（SRAM），与在每个存储单元的非易失性元件。该
存储器由128千字节为8位或每64 K字
的每个16比特。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术，生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读写
周期，而独立的非易失性数据驻留在高度
可靠QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件（实体店经营）发生
自动在电源关闭。上电时，数据被恢复到
从非易失性存储器SRAM中（该RECALL操作）。
无论是STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
Quatrum陷阱
1024 X 1024
商店
召回
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
存储/调用
控制
HSB
V
CC
V
帽
动力
控制
软件
检测
A
14
- A
2
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
CE
BLE
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
列I / O
COLUMN DEC
OE
WE
BHE
笔记
1.地址
0
–A
16
为× 8配置和地址
0
–A
15
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
-DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
-DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-42879修订版* L
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年7月14日
[+ ]反馈
CY14B101LA
CY14B101NA
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
引脚定义................................................ .................. 5
设备操作................................................ .............. 6
SRAM读................................................ ....................... 6
SRAM写................................................ ....................... 6
自动存储操作................................................ 6 ........
硬件存储操作............................................ 6
硬件RECALL （电） ........................................ 7
软件商店................................................ ............... 7
软件RECALL ................................................ ............. 7
防止自动存储................................................ 8 .......
数据保护................................................ ................. 8
噪声考虑................................................ 8 .......
................................................最佳实践................... 9
最大额定值................................................ ........... 10
经营范围................................................ ............. 10
直流电气特性........................................ 10
数据保留和耐力..................................... 11
电容................................................. ................... 11
热阻................................................ ........ 11
AC测试负载............................................... ................. 11
AC测试条件............................................... ......... 11
AC开关特性....................................... 12
SRAM读周期............................................... ..... 12
SRAM写周期............................................... ...... 12
开关波形................................................ .... 12
自动存储/上电RECALL ....................................... 15
开关波形................................................ .... 15
软件控制的存储/调用循环................ 16
开关波形................................................ .... 16
五金店周期............................................... .. 17
开关波形................................................ .... 17
真值表SRAM操作................................ 18
订购信息................................................ ...... 19
订购代码定义......................................... 20
包图................................................ .......... 21
与缩略语................................................. ....................... 25
文档约定............................................. 25
计量单位............................................... ........ 25
文档历史记录页............................................... .. 26
销售，解决方案和法律信息...................... 28
全球销售和设计支持....................... 28
产品................................................. ................... 28
的PSoC解决方案................................................ ......... 28
文件编号： 001-42879修订版* L
第28 2
[+ ]反馈
CY14B101LA
CY14B101NA
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚TSOP II
NC
[7]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[6]
NC
[5]
NC
[4]
NC
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ
5
DQ
4
V
帽
A
14
A
13
A
12
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11
A
10
NC
NC
A
0
A
1
A
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3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
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8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
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NC
[5]
[4]
NC
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
44引脚TSOP II
(× 8)
44引脚TSOP II
(× 16)
[8]
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
图2.引脚图 - 48引脚SSOP和32引脚SOIC
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
NC
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
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NC
NC
1
2
3
4
5
6
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9
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13
14
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48
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44
43
42
41
40
39
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36
35
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33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ6
OE
A
10
CE
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
V
CC
48引脚SSOP
(×8)
32引脚SOIC
顶视图
（不按比例）
(×8)
(x8)
顶视图
（不按比例）
笔记
4.地址扩展的2 - Mbit的。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为4兆。 NC引脚未连接到死。
6.地址扩展为8兆。 NC引脚未连接到死。
7.地址扩展16 - Mbit的。 NC引脚未连接到死。
8. HSB引脚是不是在44引脚TSOP II （ × 16 ）封装。
文件编号： 001-42879修订版* L
第28 3
[+ ]反馈
CY14B101LA
CY14B101NA
引脚配置
（续）
图3. 48球FBGA封装和54引脚TSOP II
48-FBGA
(x8)
顶视图
（不按比例）
1
NC
NC
DQ
0
V
SS
V
CC
DQ
3
NC
2
OE
NC
NC
DQ
1
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2
NC
HSB
3
A
0
A
3
A
5
[9]
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
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16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
NC
DQ
5
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WE
A
11
6
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NC
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4
V
CC
V
SS
DQ
7
NC
NC
[11]
A
B
C
D
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NC
[12]
NC
A
0
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DQ
0
DQ
1
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5
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6
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7
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NC
NC
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帽
A
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9
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A
8
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1
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34
33
32
31
30
29
28
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
(
不按比例）
HSB
NC
[11]
[10]
NC
[9]
NC
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
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13
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12
V
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NC
NC
笔记
9.地址扩展的2 - Mbit的。 NC引脚未连接到死。
10.地址扩展为4兆。 NC引脚未连接到死。
11.地址扩展为8兆。 NC引脚未连接到死。
12.地址扩展为16兆位。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-42879修订版* L
第28 4
[+ ]反馈
CY14B101LA
CY14B101NA
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
16
A
0
–A
15
DQ
0
-DQ
7
DQ
0
-DQ
15
WE
CE
OE
BHE
BLE
V
SS
V
CC
HSB
[13]
I / O类型
输入
输入/输出
输入
输入
输入
输入
输入
地
描述
地址输入。用于选择的131,072字节的nvSRAM为× 8配置之一。
地址输入。用于选择65536字的nvSRAM为×16配置的一个。
双向数据I /为× 8配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
双向数据I / O线× 16的配置。作为根据操作的输入或输出线路。
写使能输入，低电平有效。当芯片被使能和WE为低电平时，在I / O引脚的数据被写入
到特定的地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
I / O引脚为三态上拉高OE为高电平。
高字节使能，低电平有效。控制DQ
15
-DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。控制DQ
7
-DQ
0
.
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 ％ -10 ％
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。低电平时，此输出表明五金店正在进行中。
当拉低，外部芯片时，它启动一个非易失STORE操作。每个硬件后，
与软件商店运营HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
无连接
无连接。该管脚没有连接到模具上。
V
帽
NC
记
13. HSB引脚是不是在44引脚TSOP II （ × 16 ）封装。
文件编号： 001-42879修订版* L
第28 5
[+ ]反馈
CY14B101LA
CY14B101NA
1兆位（ 128千× 8/64 K＆times 16 ）的nvSRAM
1兆位（ 128千× 8/64 K＆times 16 ）的nvSRAM
特点
■
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20纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为128千× 8 （ CY14B101LA ） ，或一个64 K × 16
(CY14B101NA)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
STORE到QuantumTrap发起的非易失性元件
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 ％到-10 ％操作
工业温度
■
套餐
32引脚小外形集成电路（ SOIC ）
44- / 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）II型
48引脚小外形封装（ SSOP ）
48球细间距球栅阵列（ FBGA ）
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
功能说明
赛普拉斯CY14B101LA / CY14B101NA是一个快速静态RAM
（SRAM），与在每个存储单元的非易失性元件。该
存储器由128千字节为8位或每64 K字
的每个16比特。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术，生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读写
周期，而独立的非易失性数据驻留在高度
可靠QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件（实体店经营）发生
自动在电源关闭。上电时，数据被恢复到
从非易失性存储器SRAM中（该RECALL操作）。
无论是STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
5
A
6
A
7
A
8
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A
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R
O
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D
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C
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Quatrum陷阱
1024 X 1024
商店
召回
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
存储/调用
控制
HSB
V
CC
V
帽
动力
控制
软件
检测
A
14
- A
2
DQ
0
DQ
1
DQ
2
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6
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8
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DQ
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COLUMN DEC
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笔记
1.地址
0
–A
16
为× 8配置和地址
0
–A
15
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
-DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
-DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-42879修订版*○
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2012年8月14日
CY14B101LA
CY14B101NA
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
引脚定义................................................ .................. 5
设备操作................................................ .............. 6
SRAM读................................................ ................ 6
SRAM写................................................ ................. 6
自动存储操作................................................ 6 ....
硬件存储操作....................................... 6
硬件RECALL （电） ................................... 7
软件商店................................................ ......... 7
软件RECALL ................................................ 7 .......
防止自动存储................................................ 8 ..
数据保护................................................ ............ 8
最大额定值................................................ ............. 9
经营范围................................................ ............... 9
直流电气特性.......................................... 9
数据保留和耐力..................................... 10
电容................................................. ................... 10
热阻................................................ ........ 10
AC测试负载............................................... ................. 11
AC测试条件............................................... ......... 11
AC开关特性....................................... 12
SRAM读周期............................................... ..... 12
SRAM写周期............................................... ...... 12
开关波形................................................ .... 12
自动存储/上电RECALL ....................................... 15
开关波形................................................ .... 15
软件控制的存储/调用循环................ 16
开关波形................................................ .... 16
五金店周期............................................... .. 17
开关波形................................................ .... 17
真值表SRAM操作................................ 18
订购信息................................................ ...... 19
订购代码定义......................................... 20
包图................................................ .......... 21
与缩略语................................................. ....................... 26
文档约定................................................ 26
计量单位............................................... ........ 26
文档历史记录页............................................... .. 27
销售，解决方案和法律信息...................... 29
全球销售和设计支持....................... 29
产品................................................. ................... 29
的PSoC解决方案................................................ ......... 29
文件编号： 001-42879修订版*○
第29页2
CY14B101LA
CY14B101NA
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚TSOP II
NC
[7]
NC
A
0
A
1
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2
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3
A
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CE
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0
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DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
[5]
[4]
NC
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
44引脚TSOP II
(× 8)
44引脚TSOP II
(× 16)
[8]
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
图2.引脚图 - 48引脚SSOP和32引脚SOIC
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
NC
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ1
DQ2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
WE
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ6
OE
A
10
CE
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
V
CC
48引脚SSOP
(×8)
32引脚SOIC
(×8)
(x8)
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
笔记
4.地址扩展的2 - Mbit的。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为4兆。 NC引脚未连接到死。
6.地址扩展为8兆。 NC引脚未连接到死。
7.地址扩展16 - Mbit的。 NC引脚未连接到死。
8. HSB引脚是不是在44引脚TSOP II （ × 16 ）封装。
文件编号： 001-42879修订版*○
第29页3
CY14B101LA
CY14B101NA
引脚配置
（续）
图3. 48球FBGA封装和54引脚TSOP II引出线
48-FBGA
(x8)
顶视图
（不按比例）
1
NC
NC
DQ
0
V
SS
V
CC
DQ
3
NC
2
OE
NC
NC
DQ
1
DQ
2
NC
HSB
3
A
0
A
3
A
5
[9]
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
NC
DQ
5
DQ
6
NC
WE
A
11
6
NC
NC
DQ
4
V
CC
V
SS
DQ
7
NC
NC
[11]
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
[12]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
NC
V
帽
A
14
A
12
A
9
[10]
A
8
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
(
不按比例）
HSB
NC
[11]
[10]
NC
[9]
NC
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
NC
笔记
9.地址扩展的2 - Mbit的。 NC引脚未连接到死。
10.地址扩展为4兆。 NC引脚未连接到死。
11.地址扩展为8兆。 NC引脚未连接到死。
12.地址扩展为16兆位。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-42879修订版*○
第29页4
CY14B101LA
CY14B101NA
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
16
A
0
–A
15
DQ
0
-DQ
7
DQ
0
-DQ
15
WE
CE
OE
BHE
BLE
V
SS
V
CC
HSB
[13]
I / O类型
输入
输入/输出
输入
输入
输入
输入
输入
地
描述
地址输入。用于选择的131,072字节的nvSRAM为× 8配置之一。
地址输入。用于选择65536字的nvSRAM为×16配置的一个。
双向数据I /为× 8配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
双向数据I / O线× 16的配置。作为根据操作的输入或输出线路。
写使能输入，低电平有效。当芯片被使能和WE为低电平时，在I / O引脚的数据被写入
到特定的地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
I / O引脚为三态上拉高OE为高电平。
高字节使能，低电平有效。控制DQ
15
-DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。控制DQ
7
-DQ
0
.
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 ％ -10 ％
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。低电平时，此输出表明五金店正在进行中。
当拉低，外部芯片时，它启动一个非易失STORE操作。每个硬件后，
与软件商店运营HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
无连接
无连接。该管脚没有连接到模具上。
V
帽
NC
记
13. HSB引脚是不是在44引脚TSOP II （ × 16 ）封装。
文件编号： 001-42879修订版*○
第29页5
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