Si7860ADP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.015
2500
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.012
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
0.009
V
GS
= 10 V
1500
0.006
1000
C
OSS
500
C
RSS
0.003
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 16 A
2.00
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
8
12
16
20
5
1.75
1.50
3
1.25
2
1.00
1
0.75
0
0
4
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.040
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.032
I
S
- 源电流（ A）
0.024
0.016
I
D
= 16 A
0.008
T
J
= 25_C
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
www.vishay.com
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