Si7860ADP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 16 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 14 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 16 A
I
S
= 3 A，V
GS
= 0 V
40
0.0079
0.0105
60
0.70
1.1
0.0095
0.0125
S
V
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 16 A
13
5
4.0
1.7
18
12
46
19
40
3.2
27
18
70
30
70
ns
W
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通4 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
30
20
3V
10
20
T
C
= 125_C
10
25_C
-55_C
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
