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Si7860ADP
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速开关MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0095 @ V
GS
= 10 V
0.0125 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
16
16
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化的高效率
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
D
100% R
g
经过测试
应用
D
降压转换器
- 高压侧或低侧
D
同步整流器器
- 次级整流
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
订购信息： Si7860ADP -T1 -E3
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
16
稳定状态
单位
V
11
8
"50
A
1.5
1.8
1.1
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
13
4.1
4.8
3.1
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
结到环境
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
21
56
1.9
最大
26
70
2.5
单位
° C / W
C / W
1
Si7860ADP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 16 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 14 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 16 A
I
S
= 3 A，V
GS
= 0 V
40
0.0079
0.0105
60
0.70
1.1
0.0095
0.0125
S
V
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 16 A
13
5
4.0
1.7
18
12
46
19
40
3.2
27
18
70
30
70
ns
W
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通4 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
30
20
3V
10
20
T
C
= 125_C
10
25_C
-55_C
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
Si7860ADP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.015
2500
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.012
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
0.009
V
GS
= 10 V
1500
0.006
1000
C
OSS
500
C
RSS
0.003
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 16 A
2.00
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
8
12
16
20
5
1.75
1.50
3
1.25
2
1.00
1
0.75
0
0
4
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.040
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.032
I
S
- 源电流（ A）
0.024
0.016
I
D
= 16 A
0.008
T
J
= 25_C
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
www.vishay.com
3
Si7860ADP
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
I
D
= 250
mA
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
160
200
单脉冲功率， Juncion到环境
功率（W）的
0.0
120
-0.3
80
-0.6
40
-0.9
-50
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结至外壳
100
受
r
DS （ ON）
10
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
10 s
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 125°C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
Si7860ADP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
www.vishay.com
5
Si7860ADP
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速开关MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0095 @ V
GS
= 10 V
0.0125 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
16
16
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化的高效率
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
D
100% R
g
经过测试
应用
D
降压转换器
- 高压侧或低侧
D
同步整流器器
- 次级整流
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
订购信息： Si7860ADP -T1 -E3
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
16
稳定状态
单位
V
11
8
"50
A
1.5
1.8
1.1
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
13
4.1
4.8
3.1
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
结到环境
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
21
56
1.9
最大
26
70
2.5
单位
° C / W
C / W
1
Si7860ADP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 16 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 14 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 16 A
I
S
= 3 A，V
GS
= 0 V
40
0.0079
0.0105
60
0.70
1.1
0.0095
0.0125
S
V
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
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13
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1.7
18
12
46
19
40
3.2
27
18
70
30
70
ns
W
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通4 V
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I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
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30
30
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3V
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T
C
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0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
Si7860ADP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.015
2500
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.012
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
0.009
V
GS
= 10 V
1500
0.006
1000
C
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500
C
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0.003
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
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I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 16 A
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导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
8
12
16
20
5
1.75
1.50
3
1.25
2
1.00
1
0.75
0
0
4
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.040
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.032
I
S
- 源电流（ A）
0.024
0.016
I
D
= 16 A
0.008
T
J
= 25_C
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0
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4
6
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10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
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3
Si7860ADP
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
I
D
= 250
mA
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
160
200
单脉冲功率， Juncion到环境
功率（W）的
0.0
120
-0.3
80
-0.6
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-25
0
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50
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100
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150
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
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安全工作区，结至外壳
100
受
r
DS （ ON）
10
I
D
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1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
10 s
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
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0.01
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1
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100
V
DS
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归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 125°C / W
t
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0.01
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10
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方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
Si7860ADP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
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0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
www.vishay.com
5
Si7860ADP
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速开关MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0095 @ V
GS
= 10 V
0.0125 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
16
16
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
PWM优化的高效率
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
D
100% R
g
经过测试
应用
D
降压转换器
- 高压侧或低侧
D
同步整流器器
- 次级整流
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
订购信息： Si7860ADP -T1 -E3
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
16
稳定状态
单位
V
11
8
"50
A
1.5
1.8
1.1
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
13
4.1
4.8
3.1
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
结到环境
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
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t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
21
56
1.9
最大
26
70
2.5
单位
° C / W
C / W
1
Si7860ADP
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 16 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 14 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 16 A
I
S
= 3 A，V
GS
= 0 V
40
0.0079
0.0105
60
0.70
1.1
0.0095
0.0125
S
V
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 16 A
13
5
4.0
1.7
18
12
46
19
40
3.2
27
18
70
30
70
ns
W
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通4 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
30
20
3V
10
20
T
C
= 125_C
10
25_C
-55_C
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 72651
S- 32674 -REV 。 A， 29日-12月03
Si7860ADP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.015
2500
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.012
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
0.009
V
GS
= 10 V
1500
0.006
1000
C
OSS
500
C
RSS
0.003
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 16 A
2.00
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
8
12
16
20
5
1.75
1.50
3
1.25
2
1.00
1
0.75
0
0
4
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
60
0.040
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.032
I
S
- 源电流（ A）
0.024
0.016
I
D
= 16 A
0.008
T
J
= 25_C
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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3
Si7860ADP
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
I
D
= 250
mA
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
160
200
单脉冲功率， Juncion到环境
功率（W）的
0.0
120
-0.3
80
-0.6
40
-0.9
-50
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
安全工作区，结至外壳
100
受
r
DS （ ON）
10
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
10 s
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
dc
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 125°C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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Si7860ADP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
文档编号： 72651
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STW150NF55
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联系人：李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
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