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ADuC7036
块0 ， Flash / EE存储器保护寄存器
名称： FEE0HID和FEE0PRO
地址： 0xFFFF0E20 （用于FEE0HID ）和0xFFFF0E1C （对于FEE0PRO ）
默认值： 0xFFFFFFFF的（对于FEE0HID ）和00000000 （对于FEE0PRO ）
访问：读/写访问
功能：这些寄存器写的用户代码来配置Flash / EE存储器的保护。
表16. FEE0HID和FEE0PRO MMR位
位
31
描述
1
读保护位。
设置用户代码，允许读取32 KB的Flash / EE模块代码通过JTAG读取访问。
清除由用户代码来保护32 KB的Flash / EE模块代码通过JTAG读取访问。
写保护位。
设置用户代码，允许写入页59 。
清除由用户代码写入保护第59页。
写保护位。
设置用户代码，允许写入页58 。
清除由用户代码写入保护页58 。
写保护位。
设置用户代码，允许写入页0至57页的30 KB的Flash / EE代码存储器。每个位写保护两页，
每页由512个字节。
清除由用户代码写入保护页0至第57的30 KB的Flash / EE代码存储器。每个位写保护两页，
每页由512个字节。
30
29
28比0
1
x代表0或1 ，指定的Flash / EE模块0或Flash / EE 1座。
1座， Flash / EE存储器保护寄存器
名称： FEE1HID和FEE1PRO
地址： 0xFFFF0EA0 （用于FEE1HID ）和0xFFFF0E9C （对于FEE1PRO ）
默认值： 0xFFFFFFFF的（对于FEE1HID ）和00000000 （对于FEE1PRO ）
访问：读/写访问
功能：这些寄存器写的用户代码来配置Flash / EE存储器的保护。
表17. FEE1HID和FEE1PRO MMR位
位
31
描述
读保护位。
设置用户代码，允许读取64 KB的Flash / EE模块代码通过JTAG读取访问。
用户代码清读保护64 KB的Flash / EE模块代码通过JTAG读取访问。
写保护位。写保护八页。每个页面都包含512个字节。
设置用户代码，允许写入页120 127页的64 KB的Flash / EE代码存储器。
清除由用户代码写入保护第120页至127页的64 KB的Flash / EE代码存储器。
写保护位。
设置用户代码，允许写入页0至119页的64 KB闪存/ EE代码存储器。每个位写保护四页，并
每页由512个字节。
清除由用户代码写入保护页0至119页的64 KB的Flash / EE代码存储器。每个位写保护两页，
和每个页面包含512个字节。
30
29比0
版本C |第132 30
