ADuC7036
Flash / EE存储器
该ADUC7036采用Flash / EE存储器技术的
芯片提供用户与非易失性，在电路reprogram-
序的存储空间。
像EEPROM ，闪存可在系统编程
在一个字节的水平，尽管它必须首先被擦除，以擦除
按页进行。因此，快闪存储器通常与
更正确地称为Flash / EE存储器。
总体而言， Flash / EE存储器代表了一步接近理想
由于具有非易失性，在电路编程存储器装置
mability ，密度高，且成本低。内部整合
ADUC7036 ， Flash / EE存储器技术，允许用户
在电路内的更新的程序代码空间，而不需要
更换远程一次性可编程（ OTP ）设备
操作节点。
在Flash / EE存储器位于地址0x80000 。上
硬复位时， Flash / EE存储器映射到0x00000000地址。
所有的Flash / EE存储器单元的出厂默认设置内容
为0xFF 。 Flash / EE存储器可以读取8位，16位和32位的段
和写入16位的段。闪存/ EE的额定万
耐力周期。这种等级是根据次数
每个字节进行循环，也就是说，擦除和编程。 Imple-
门庭的软件冗余方案可确保无
闪光灯的位置达到10000次的读写周期。
用户也可以将数据写入变量到Flash / EE存储器
运行时执行代码中，例如，用于存储
诊断电池参数数据。
整个Flash / EE是提供给用户的代码和非
易失性数据存储器。有数据之间没有区别
和ARM代码处理过程中的程序空间。现实
宽度的Flash / EE存储器是16位，这意味着在
ARM模式（32位指令），两个接入到闪存/ EE
有必要对每一个取指令。当在工作
速度小于20.48 MHz时， Flash / EE存储器控制器
可以透明地获取第二个16位半字的（一部分
32位ARM操作码）内的一个单一的核心时钟周期。
因此，对于小于20.48兆赫的速度以下（即，CD > 0） ，它是
推荐使用ARM模式。对于20.48 MHz工作频率
（即， CD = 0）时，建议在Thumb模式下操作。
这个Flash / EE存储器的页面大小为512字节。通常情况下，
它需要在Flash / EE存储器控制器20毫秒删除一个页面，而不管
的CD 。写一个16位字，在光盘= 0，1 ，2，或3 ，需要50微秒;
在光盘= 4或5 ， 70微秒;在CD = 6，80微秒;并且在光盘= 7， 105微秒。
它可以写一个单一的16位位置仅两次
擦除之间;也就是说，有可能走字节，而不是比特。
如果一个位置被写入的两倍以上，的内容
闪速/电擦除页面可能已损坏。
串行下载（在线编程）
该ADUC7036通过LIN / BSD引脚便于代码的下载。
JTAG访问
该ADUC7036设有一个片内JTAG调试端口
方便的代码下载和调试。
ADUC7036 Flash / EE存储器
总96 KB的Flash / EE的组织为47000 × 16位。的
其中， 94 KB被指定为用户空间，和2 KB保留
为引导加载程序/内核空间。
FLASH / EE控制接口
在Flash / EE存储器上的访问和控制
ADUC7036是由一个片上存储器控制器管理。该
控制器管理Flash / EE存储器作为两个独立的模块
（块0和块1 ） 。
块0包含的32 KB的Flash / EE存储器被映射
从地址0x00090000到地址0x00097FFF ，包括
2KB的内核空间中时保留于该块的顶部。
1座由64 KB的Flash / EE存储器被映射
从地址0x00080000到地址0x0008FFFF 。
但是应当注意的是，微控制器核心可以继续执行代码
从一个内存块，同时积极擦除或编程周期
正在开展的其他块。如果一个命令运行
相同的块中的代码当前执行中，芯被停止
直到命令完成。这也适用于执行代码。
用户代码，LIN和JTAG编程使用Flash / EE
控制接口，包括以下孕产妇死亡的：
FEExSTA （ X = 0或1 ） ：只读寄存器。反映
闪存/ EE控制接口的状态。
FEExMOD （X = 0或1） ：设定的操作模式
闪存/ EE控制接口。
FEExCON （X = 0或1） ： 8位命令寄存器。该
如表13中描述的命令进行解释。
FEExDAT （X = 0或1） ： 16位数据寄存器中。
FEExADR （X = 0或1） ： 16位地址寄存器。
FEExSIG （ X = 0或1 ） ：保留24位代码签名
签名命令的结果而提出。
FEExHID （ X = 0或1 ） ：保护MMR 。控制读取和
写保护Flash / EE存储器的代码空间。如果
以前通过FEExPRO寄存器， FEExHID配置
可能需要一个软件密钥，以允许访问。
FEExPRO （ X = 0或1 ） ：在FEExHID寄存器的缓冲。
存储FEExHID值，会自动向下
加载到FEExHID寄存器在后续复位和
上电事件。
编程Flash / EE存储器在电路
在Flash / EE存储器可以在电路进行编程，使用
通过LIN接口或集成串行下载模式
JTAG端口。
需要注意的是用户软件必须确保Flash / EE存储器控制器
完成任何擦除或写周期前的PLL关
下来。如果PLL之前擦除或写入周期断电
完成后， Flash / EE存储器页或字节可能已损坏。
版本C |第132 25
