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Si4542DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
P沟道
30
- 30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.025在V
GS
= 10 V
0.035在V
GS
= 4.5 V
0.032在V
GS
= - 10 V
0.045在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
6.9
5.8
- 6.1
- 5.1
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
D
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
D
2
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
订货信息：
Si4542DY-T1-E3
（铅（Pb ） - 免费）
Si4542DY-T1-GE3
（铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
N沟道
30
± 20
6.9
5.5
40
1.7
2.0
1.3
- 55 150
P沟道
- 30
± 20
- 6.1
- 4.9
- 40
- 1.7
W
°C
A
单位
V
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大
结到环境
a
符号
R
thJA
N或P通道
62.5
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在FR4板，T
≤
10 s.
文档编号： 70666
S09-0868 -REV 。 G， 18日， 09
www.vishay.com
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