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Si4542DY
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ° C除非另有说明
40
30
20
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
0.08
0.10
10
T
J
= 150 °C
0.06
0.04
I
D
= 6.9 A
0.02
T
J
= 25 °C
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
0.2
0.0
I
D
= 250
A
20
功率（W）的
30
导通电阻与栅极至源极电压
25
V GS （ TH）方差（V ）
-
0.2
-
0.4
-
0.6
-
0.8
-
1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
15
T
C
= 25 °C
单脉冲
10
5
0
0.01
0.10
1.00
时间（s）
10.00
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
单脉冲功率
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
方波脉冲持续时间（ S）
1
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5 C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
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4
文档编号： 70666
S09-0868 -REV 。 G， 18日， 09
