位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第942页 > Si4542DY-T1-E3 > Si4542DY-T1-E3 PDF资料 > Si4542DY-T1-E3 PDF资料1第3页
Si4542DY
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ° C除非另有说明
40
V
GS
= 10 V直通5 V
32
4V
I
D
- 漏电流（ A）
24
I
D
- 漏电流（ A）
30
40
20
16
10
T
C
= 125 °C
8
3V
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
1
2
3
4
5
25 °C
- 55 °C
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.05
3000
传输特性
2500
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
2000
C
国际空间站
0.03
1500
C
OSS
1000
0.02
V
GS
= 10 V
0.01
500
C
RSS
0.00
0
10
20
I
D
- 漏电流（ A）
30
40
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.9 A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.9 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
6
12
18
24
30
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 70666
S09-0868 -REV 。 G， 18日， 09
www.vishay.com
3
