FDS4685 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
2005年6月
FDS4685
40V P沟道PowerTrench
MOSFET
特点
■
-8.2 A， -40 V R
DS （ ON）
= 0.027
@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 0.035
@ V
GS
= –4.5 V
■
开关速度快
■
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
■
高功率和电流处理能力
应用
■
电源管理
■
负荷开关
■
电池保护
概述
这种P沟道MOSFET是飞兆半导体的坚固大门版本
安森美半导体先进的PowerTrench工艺。它一直
需要宽的电源管理应用进行了优化
的栅极驱动电压额定值范围（ 4.5V - 20V ） 。
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
销1
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储结温范围
（注1A ）
参数
评级
–40
±
20
–8.2
–50
2.5
1.4
1.2
-55到+150
单位
V
V
A
W
°
C
°
C / W
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1C ）
（注1 ）
50
125
25
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4685
设备
FDS4685
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDS4685版本C （ W）
