FDS4685 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
击穿电压温度
COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
A，参考25
°
C
V
DS
= –32 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
A，参考25
°
C
V
GS
= -10 V，I
D
= –8.2 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –7 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -8.2 A，T
J
= 125
°
C
V
DS
= -5 V，I
D
= –8.2 A
V
DS
= –20 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
–1
–1.6
4.7
22
29
31
22
27
35
42
–40
–32
–1
±
100
–3
V
毫伏/
°
C
A
nA
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
毫伏/
°
C
m
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
= 15 mV时， F = 1MHz的
V
DD
= -20 V，I
D
= –1 A,
V
GS
= -10 V ，R
根
= 6
1872
256
134
4
pF
pF
pF
25
20
80
32
27
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -20 V，I
D
= –8.2 A,
V
GS
= –5 V
14
11
50
18
19
5.6
6.1
漏源二极管特性
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= -2.1 A（注2 ）
I
F
= –8.2 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
–0.7
26
15
–1.2
V
nS
nC
1. R
θ
JA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。
R
θ
JC
由设计而
θ
CA
由用户板的设计决定的..
一个），安装时50℃ / W的
在1中
2
的2盎司垫
铜
B） 105 ° / W安装时
就在0.04
2
的2盎司垫
铜
C） 125 ° / W安装时
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
S，占空比< 2.0 ％
2
FDS4685版本C （ W）
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