FDS4685 40V P沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征：
50
V
GS
= -10V
-6.0V
-4.5V
-4.0V
2.4
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2.2
V
GS
= - 3.5V
-I
D
，漏电流（ A）
40
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
-4.0V
-4.5V
-5.0V
-6.0V
-8.0V
-10V
30
-3.5V
20
-3.0V
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-V
DS
，漏源极电压（ V）
0
10
20
30
40
50
-I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.09
I
D
= -4.1A
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
I
D
= -8.2A
V
GS
= - 10V
0.08
0.07
0.06
0.05
T
A
= 125° C
0.04
0.03
T
A
= 25°C
0.02
0.01
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T
J
，结温（ ° C）
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
50
25°C
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
T
A
= -55°C
-I
D
，漏电流（ A）
40
10
1
V
GS
= 0V
T
A
= 125° C
30
125°C
25°C
0.1
-55°C
20
0.01
0.001
0.0001
10
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
GS
，门源电压（ V）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
3
FDS4685版本C （ W）
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