位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第129页 > MPC8321CZQADDC > MPC8321CZQADDC PDF资料 > MPC8321CZQADDC PDF资料1第14页
DDR1和DDR2 SDRAM
表13. DDR2 SDRAM容量为DN
_
GV
DD
（典型值）= 1.8 V
三角洲输入/输出电容： DQ ， DQS
C
DIO
—
0.5
pF
1
注意：
1.该参数进行采样。 DN
_
GV
DD
= 1.8 V± 0.090 V，F = 1 MHz时，T
A
= 25 ° C，V
OUT
· DN
_
GV
DD
÷
2,
V
OUT
（峰 - 峰值） = 0.2V。
表14
提供推荐工作条件的在DDR1 SDRAM组件（S ）
MPC8323E时Dn_GV
DD
（典型值） = 2.5 V.
表14. DDR1 SDRAM直流电气特性的DN
_
GV
DD
（典型值）= 2.5 V
参数/条件
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
输入高电压
输入低电压
输出漏电流
高输出电流（V
OUT
= 1.95 V)
输出低电流（V
OUT
= 0.35 V)
符号
Dn
_
GV
DD
MVREFn
REF
V
TT
V
IH
V
IL
I
OZ
I
OH
I
OL
民
2.375
0.49
×
Dn
_
GV
DD
MVREFn
REF
– 0.04
MVREFn
REF
+ 0.15
–0.3
–9.9
–16.2
16.2
最大
2.625
0.51
×
Dn
_
GV
DD
MVREFn
REF
+ 0.04
Dn
_
GV
DD
+ 0.3
MVREFn
REF
– 0.15
–9.9
—
—
单位
V
V
V
V
V
μA
mA
mA
笔记
1
2
3
—
—
4
—
—
注意事项：
1. DN
_
GV
DD
预计将在50毫伏的DRAM Dn之
_
GV
DD
在任何时候。
2. MVREF
n
REF
预计是等于0.5的
×
Dn
_
GV
DD
和追踪DN
_
GV
DD
DC变动，在接收端进行测量。
峰 - 峰值上MVREFn噪音
REF
不得超过DC值的±2％。
3. V
TT
不直接向设备施加。它是哪个远端信号的终止是由供给和预期为
等于MVREFn
REF
。此导轨应跟踪变化MVREFn的DC电平
REF
.
4.输出泄漏测量时，所有输出关闭， 0 V
≤
V
OUT
≤
Dn
_
GV
DD
.
表15
提供DDR1电容Dn_GV
DD
（典型值） = 2.5 V.
表15. DDR1 SDRAM容量为DN
_
GV
DD
（典型值） = 2.5 V接口
参数/条件
输入/输出电容： DQ ， DQS
三角洲输入/输出电容： DQ ， DQS
符号
C
IO
C
DIO
民
6
—
最大
8
0.5
单位
pF
pF
笔记
1
1
注意：
1.该参数进行采样。
n
_
GV
DD
= 2.5 V± 0.125 V，F = 1 MHz时，T
A
= 25 ° C，V
OUT
· DN
_
GV
DD
÷
2,
V
OUT
（峰 - 峰值） = 0.2V。
MPC8323E的PowerQUICC II Pro的集成通信处理器系列硬件规格，第4版
14
飞思卡尔半导体公司
