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功率特性
V
I / O电压（ GV
DD
和OV
DD
)
核心电压（V
DD
)
90%
0.7 V
0
PORESET
t
> = 32个时钟周期x深
SYS_CLK_IN
/t
PCI_SYNC_IN
图3. MPC8323E上电顺序示例
3
功率特性
表5. MPC8323E功耗
CSB
频率（MHz）
133
133
QUICC引擎
频率（MHz）
200
200
CORE
频率（MHz）
266
333
典型
0.74
0.78
最大
1.48
1.62
单位
W
W
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
所估计的典型功耗为这个家族MPC8323E设备的示于
表5 。
注意事项：
1.值不包括I / O供电（ OV
DD
和GV
DD
）或AV
DD
。对于I / O功耗值，请参阅
表6 。
2.典型的电源是基于V的标称电压
DD
= 1.0 V时，环境温度，以及核心运行的Dhrystone
基准测试应用程序。测量是利用WC工艺硅MPC8323MDS评估板。
3.最大功率是基于V的电压
DD
= 1.07 V， WC的过程中，一个T字路口
J
= 110 ℃，人工冒烟测试。
表6
示出了所估计的典型的I / O功耗的设备。
表6.预估的典型I / O功耗
接口
DDR I / O
65 ％的利用率
2.5 V
R
s
= 20
Ω
R
t
= 50
Ω
1对时钟
参数
266兆赫， 1
×
32位
GV
DD
(1.8 V)
0.212
GV
DD
（ 2.5 V ） OV
DD
（ 3.3 V ）单位
0.367
—
W
评论
—
MPC8323E的PowerQUICC II Pro的集成通信处理器系列硬件规格，第4版
飞思卡尔半导体公司
9
