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DDR1和DDR2 SDRAM
表19. DDR1和DDR2 SDRAM输出AC时序规范(续)
在以D推荐工作条件
n_GV
DD
(1.8或2.5伏) ±5%。
参数
MDQ / MDM输出设置相对于MDQS
266兆赫
200兆赫
MDQ / MDM相对于MDQS输出保持
266兆赫
200兆赫
MDQS序言开始
MDQS尾声结束
符号
1
t
DDKHDS ,
t
DDKLDS
最大
单位
ns
笔记
5
0.9
1.0
t
DDKHDX ,
t
DDKLDX
1100
1200
t
DDKHMP
t
DDKHME
–0.5
×
t
MCK
– 0.6
–0.6
ps
–0.5
×
t
MCK
+ 0.6
0.6
ns
ns
6
6
5
注意事项:
1.用于定时规范的符号跟着T的模式
(功能块的头两个字母)(信号)(状态)(参照)(状态)的
输入和T
(功能块的头两个字母)(参考)(状态)(信号)(状态)的
用于输出。输出保持时间可以理解为DDR时序
( DD),从参考时钟( KH或KL) ,直到输出去无效(AX或DX )的上升沿或下降沿。例如,
t
DDKHAS
象征的DDR定时(DD ),用于在时间t
MCK
内存时钟基准(K )变为由高(H )状态,直到输出
( A)是设置( S)或输出有效时间。此外,T
DDKLDX
象征的DDR定时(DD ),用于在时间t
MCK
内存时钟参考
(K)变低(L ),直到数据输出端(D)是无效的(X)或数据输出的保持时间。
2.所有MCK / MCK的参考测量值被从两个信号的交叉制成± 0.1V。
3. ADDR / CMD包括除MCK / MCK , MCS和MDQ / MDM / MDQS所有DDR SDRAM输出信号。对于ADDR / CMD
建立和保持规范,它假定该时钟控制寄存器设置由1/2调整存储器时钟施加
周期。
4.注意吨
DDKHMH
以下附注1所述,例如,T符号约定
DDKHMH
介绍了DDR时序( DD )
从MCK ( n)的时钟( KH ) ,直到MDQS信号的上升沿有效( MH ) 。吨
DDKHMH
可以通过控制进行修改
在TIMING_CFG_2寄存器中的DQSS改写位。这通常被设置为相同的延迟为,在所述时钟调整
CLK_CNTL寄存器。表中所列的定时参数假定这两个参数被设置为相同的
调节值。见
MPC8323E的PowerQUICC II Pro的集成通信处理器的参考手册
描述和利用这些位的启用时间修改的理解。
5.测定由数据选通( MDQS )和数据的任何对应的位( MDQ ) ,或数据之间的最大可能的歪斜
面膜( MDM ) 。数据选通信应的数据眼的内部,在微处理器的管脚为中心。
6.所有的输出都参考MCK (n)的在微处理器的管脚的上升沿。需要注意的是吨
DDKHMP
跟随
符号约定附注1所述。
MPC8323E的PowerQUICC II Pro的集成通信处理器系列硬件规格,第4版
飞思卡尔半导体公司
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