Si1563EDH
Vishay Siliconix公司
新产品
P沟道
传输特性
3.0
3V
T
C
= –55_C
25_C
2.0
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
3.0
V
GS
= 5通3 1.5V左右
2.5
2.5
I
D
- 漏极电流（ A）
2.0
1.5
2V
1.0
1.5 V
1V
0.0
0
1
2
3
4
I
D
- 漏极电流（ A）
2.5 V
1.5
125_C
1.0
0.5
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1.6
V
GS
= 1.8 V
- 电容（pF ）
1.2
120
160
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
C
国际空间站
V
GS
= 2.5 V
0.8
80
V
GS
= 4.5 V
0.4
40
C
RSS
C
OSS
0.0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A
1.6
导通电阻与结温
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
4
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.88 A
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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6
文档编号： 71416
S- 03943 -REV 。 B， 21日， 01
