Si1563EDH
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅极电流与栅源电压
10
10,000
1,000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
8
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
100
10
1
0.1
T
J
= 25_C
0.01
0
0
4
8
12
16
0.001
0
3
6
9
12
15
Vishay Siliconix公司
N沟道
栅电流与栅源电压
6
T
J
= 150_C
4
2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
2.0
V
GS
= 5通2 V
2.0
传输特性
T
C
= –55_C
1.5
I
D
- 漏极电流（ A）
25_C
1.5
I
D
- 漏极电流（ A）
1.5 V
125_C
1.0
1.0
0.5
1V
0.0
0
1
2
3
4
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.6
140
120
- 电容（pF ）
100
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.5
0.4
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
80
60
40
C
OSS
20
0
C
RSS
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.5
1.0
I
D
- 漏极电流（ A）
1.5
2.0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71416
S- 03943 -REV 。 B， 21日， 01
www.vishay.com
3
