Si1563EDH
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
N沟道
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
2.每单位基础= R
thJA
= 170 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅极电流与栅源电压
8
10,000
1,000
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
6
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
100
10
1
0.1
T
J
= 25_C
0.01
0
0
8
12
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
4
16
0.001
0
T
J
= 150_C
P沟道
栅电流与栅源电压
4
2
3
6
9
12
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
15
文档编号： 71416
S- 03943 -REV 。 B， 21日， 01
www.vishay.com
5
