LT3844
应用信息
2. I
2
损失由的直流电阻计算
的MOSFET ，电感器，感测电阻和输入
和输出电容器。在连续导通模式
通过电感器的平均输出电流FL OWS
和R
SENSE
但在MOSFET和之间切
肖特基二极管。 MOSFET的电阻
(R
DS （ ON）
）和R
SENSE
乘以占空比
可以与电感器的电阻求和
和R
SENSE
获得的总串联电阻
电路。总的导通功率损耗正比
这个电阻和一般占2％
5 ％的损失在英法fi效率。
MOSFET的3过渡的损失可能是巨大的用
输入电压大于20V 。见MOSFET选择
部分。
4.肖特基二极管可以是电力的主要来源
损失尤其是在高输入输出电压比（低
工作循环），其中所述二极管导通，为广大
的开关周期。低V
f
降低了损耗。记
该尺寸过大，二极管并不总是帮助，因为
作为二极管加热在V
f
减小，并且二极管
损耗μ减小。
I
2
损失和肖特基二极管负占据优势，在
高负载电流。其他损失包括C
IN
和
C
OUT
ESR耗散损失和电感磁芯损耗
通常占小于2 ％的总的附加损耗
在EF网络效率。
PCB布局准则
当布置在印刷电路板上，下面的
清单应该用来确保正确的操作。这些
项中的布局图图解说明
网络连接gure 3 。
1.保持信号和功率地分开。该
信号地由LT3844 SGND销，所述
裸露焊盘上的LT3844 IC和背面的
（ - ）V的终端
OUT
。信号地是安静的
地面，并且不包含任何高，速度快的电流。
电源地由肖特基二极管阳极，
的（ - ）输入电容器和接地的端子
返回的V
CC
电容。这个理由已经非常快
高电流，被认为是嘈杂的地面。该
理由有二只在彼此连接
（ - ）V的终端
OUT
.
在循环的形成2.使用短而宽的痕迹
的MOSFET ，肖特基二极管和输入电容器来
最大限度地减少高频噪声和电压应力，从
寄生电感。表面贴装元件的
首选。
3.将V
FB
直接引脚连接到反馈电阻
独立于任何其它节点，如SENSE
–
引脚。
连接之间的（+）和反馈电阻（ - ）
的C端
OUT
。找到密切的反馈电阻
接近LT3844保持高阻抗
节点，V
FB
，尽可能地短。
4.将SENSE
–
和SENSE
+
追溯起来，
保持尽可能地短。
5.找到V
CC
并提高在靠近电容器
给IC 。这些电容进行了MOSFET驱动器的
高峰值电流。将小信号组件
远离高频开关节点（ BOOST ， SW
和TG ） 。在图3所示的布局，将所有的
在所述IC的一侧，并且所有的小信号分量
功率元件上的其他。这有助于保持
信号和功率地分开。
6.小去耦电容（ 100pF的）有时
对反馈网络滤波高频噪声有用
和感知节点。如果使用，定位为靠近IC的
可能。
7. LT3844包装将英法fi ciently从除热
该IC通过的背面的裸露焊盘
的一部分。裸露焊盘焊接到铜的足迹
在PCB上。让尽可能大的这个足迹
提高集成电路的情况下的热阻
环境空气中。这有助于保持LT3844在一个较低的
温度。
8.使跟踪连接MOSFET M1的到门
该LT3844的TG脚短而宽。
3844fb
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