LT3844
应用信息
两负。计算的最大导通损耗
MOSFET的：
I
输出（ MAX）的
P
COND
=
DC
最大
R
DS （ ON）
1
DC
最大
需要注意的是R
DS （ ON）
具有较大的正温度依赖新生
置信。 MOSFET制造商的数据手册中包含
曲线中，R
DS （ ON）
与温度。计算最大
转换损耗：
P
TRAN
=
V
GS
的8V 。如果V
CC
又回来了，从驱动外部电源，
MOSFET的驱动电流不会从内部源
的LT3844和Q调节器
G
的MOSFET不
受限于集成电路。但是，请注意， MOSFET驱动器
电流由内部调节器提供时
外部电源背部驾驶V
CC
不提供如
在启动期间或短路。
制造商的最大连续漏极电流
特定网络阳离子超过峰值开关电流是
相同的电感峰值电流，我
L（ MAX）的
+
ΔI
L
/2.
在供给启动时，栅极驱动电平被设定
在V
CC
电压调节器，这大约是8V 。一旦
电源启动并运行，在V
CC
可以反向驱动
由一个辅助电源如V
OUT
。重要的是不
超出制造商的最大V
GS
特定连接的阳离子。
一个标准的电平阈值MOSFET通常具有V
GS
最高20V的。
升压转换器：整流器器的选择
所述整流器器是根据正向电压选择
反向电压和最大电流。肖特基二极管
被推荐用于其低正向电压，并产生在
最低的功耗和最高的EF网络效率。最大
反向电压的二极管将看到的是V
OUT
。平均
二极管电流等于最大输出负载电流
I
输出（最大）
。额定电压为1.52倍的最大的二极管
建议平均二极管电流。记住提振
转换器都没有短路保护。
升压转换器：输出电容的选择
在升压模式中，输出电容的要求是
更为苛刻，由于这样的事实，电流波形
是脉冲式的，而不是连续为在降压转换器。
组分的选择是由上可接受的驱动
纹波电压是受ESR，ESL和散
电容。总的输出纹波电压为：
ESR
1
ΔV
OUT
=
I
输出（ MAX）的
+
f
SW
C
OUT
1
DC
最大
其中网络连接第一个词是由于大容量电容和
第二项是由于ESR 。
3844fb
(
k
)(
V
OUT
)
2
(
I
输出（最大）
)
(
C
RSS
)(
f
SW
)
(1
DC
最大
)
其中，k是常数反比于栅极驱动器
目前，以k = 2 LT3844应用近似。
MOSFET的总的最大功率耗散
这两个损耗项之和：
P
FET （ TOTAL ）
= P
COND
+ P
TRAN
为了达到高电源EF网络效率，保持P
FET （ TOTAL ）
to
比总输出功率的3％以下。此外，完整的
的热分析，以确保MOSFET的结
温度不超标。
T
J
= T
A
+ P
FET （ TOTAL ）
θ
JA
哪里
θ
JA
是封装热阻和T
A
为
环境温度。保持计算牛逼
J
以下
最大的特定网络连接编结温，通常为150 ℃。
需要注意的是当V
OUT
高（ >20V ） ，过渡损失
可能占据主导地位。具有较高的R A MOSFET
DS （ ON）
和较低的
C
RSS
可以提供更高的EF网络效率。的MOSFET具有较高的
电压V
DSS
特定网络阳离子通常有较高的R
DS （ ON）
和较低的
RSS
.
选择MOSFET V
DSS
特定网络阳离子超过
跨越漏极最大电压的源极
的MOSFET ，其为V
OUT
加的正向电压
整流器呃，一般小于1V以下。
内部V
CC
稳压器可输出高达
40毫安这限制了最大总MOSFET栅极
电荷Q
G
，至40mA /女
SW
。在Q
G
VS V
GS
特定网络阳离子
通常设置在MOSFET数据表。用Q
G
at
19
