LT3844
应用信息
需要注意的是当V
IN
是高和f
SW
为高时，过渡
损失可能占主导地位。具有较高的R A MOSFET
DS （ ON）
和较低的
RSS
可以提供更高的EF网络效率。 MOSFET的
具有较高的电压V
DSS
特定网络阳离子通常有较高的
R
DS （ ON）
和较低的
RSS
.
选择MOSFET V
DSS
特定网络阳离子超过
跨越漏极最大电压的源极
的MOSFET ，其为V
IN （MAX）
加任何额外的振铃
上的交换节点。铃声开关节点上即可
具有良好的印刷电路板布局，如果需要大大降低，
RC缓冲器。
内部V
CC
稳压器可输出高达
40毫安这限制了最大总MOSFET栅极
电荷Q
G
，至40mA /女
SW
。在Q
G
VS V
GS
特定网络阳离子
一般设置在MOSFET数据表。用Q
G
at
V
GS
的8V 。如果V
CC
又回来了，从驱动外部电源，
MOSFET的驱动电流不会从内部源
的LT3844和Q调节器
G
的MOSFET不
受限于集成电路。但是，请注意， MOSFET驱动器
电流由内部调节器提供时
外部电源背部驾驶V
CC
不提供如
在启动期间或短路。
制造商的最大连续漏极电流
特定网络阳离子超过峰值开关电流，
I
输出（最大）
+
ΔI
L
/2.
在供给启动时，栅极驱动电平被设定
在V
CC
电压调节器，这大约是8V 。一旦
电源启动并运行，在V
CC
可以反向驱动
由一个辅助电源如V
OUT
。重要的是不
超出制造商的最大V
GS
特定连接的阳离子。
一个标准的电平阈值MOSFET通常具有V
GS
最高20V的。
降压型转换器：整流器器的选择
该整流器器二极管（ D1的功能框图）在
降压转换器产生的电流路径的电感
当前，当主电源开关是关闭的。该
整流器器是根据正向电压选择，重新
诗电压和最大电流。肖特基二极管
推荐使用。它的低正向电压产生最低
功耗和最高的EF网络效率。最高反向
电压的二极管将看到的是V
IN （MAX）
.
在连续模式运行，平均二极管电流
租金的计算方法，在最大输出负载电流和
最大V
IN
:
I
二极管（AVG）
=
I
输出（ MAX）的
V
IN （MAX）
V
OUT
V
IN （MAX）
为了提高外汇基金fi效率，并提供足够的余量
对于短路操作，二极管的额定在1.5至2
倍的最大平均二极管电流I
二极管（AVG）
,
值得推荐。
降压型转换器：输入电容的选择
本地输入旁路电容是必需的降压变流
器，因为输入电流是脉冲快速上升和
下降时间。输入电容的选择标准是基于
在大容量电容和RMS电流能力。该
大容量电容将决定电源输入纹波
电压。在RMS电流能力是用来保持从
过热的电容器。
的大电容是根据计算得到的最大
输入纹波，
ΔV
IN
:
C
IN（ BULK ）
=
I
输出（ MAX）的
V
OUT
Δ
V
IN
f
SW
V
IN（分钟）
ΔV
IN
通常选择在用户可接受的水平。
为100mV至200mV是一个很好的起点。铝elec-
trolytic电容高电压，大容量的好选择
电容，由于其每单位面积的高电容。
电容的RMS电流为：
I
CIN （ RMS ）
=
I
OUT
V
OUT
( V
IN
– V
OUT
)
( V
IN
)
2
如果适用，计算它的最坏情况，
V
IN
= 2V
OUT
。电容器的RMS电流额定值
在特定网络连接编由生产和应超过
我计算
CIN （ RMS ）
。由于其低ESR（等效
串联电阻） ，陶瓷电容都是不错的选择
用于高电压，大电流有效值处理。需要注意的是
来自铝电解电容器的纹波电流额定值
制造商是基于2000年小时的寿命。这使得
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