FDC655BN单N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
2005年4月
FDC655BN
单N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
特点
■
6.3 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 25 m
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 33 m
@ V
GS
= 4.5 V
■
快速开关
■
低栅电荷
■
高性能沟道技术极低的Rdson
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET采用Fair-生产
孩子安森美半导体先进的PowerTrench工艺有
特别是针对已降至最低通态电阻和
同时保持出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和电池pow-
ERED应用中低线的功率损耗和快速开关
荷兰国际集团是必需的。
D
D
S
55
TM
B
G
D
1
2
3
6
5
4
SuperSOT-6
D
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
（注1A ）
参数
评级
30
±
20
6.3
20
1.6
0.8
- 55 + 150
单位
V
V
A
W
°
C
°
C / W
°
C / W
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
包装标志和订购信息
器件标识
.55B
设备
FDC655BN
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDC655BN版本C （ W）
