FDC655BN单N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
2005年4月
FDC655BN
单N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
特点
■
6.3 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 25 m
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 33 m
@ V
GS
= 4.5 V
■
快速开关
■
低栅电荷
■
高性能沟道技术极低的Rdson
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET采用Fair-生产
孩子安森美半导体先进的PowerTrench工艺有
特别是针对已降至最低通态电阻和
同时保持出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和电池pow-
ERED应用中低线的功率损耗和快速开关
荷兰国际集团是必需的。
D
D
S
55
TM
B
G
D
1
2
3
6
5
4
SuperSOT-6
D
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
（注1A ）
参数
评级
30
±
20
6.3
20
1.6
0.8
- 55 + 150
单位
V
V
A
W
°
C
°
C / W
°
C / W
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
包装标志和订购信息
器件标识
.55B
设备
FDC655BN
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDC655BN版本C （ W）
FDC655BN单N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
击穿电压温度
COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A，参考25
°
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= -55
°
C
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A，参考25
°
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.3 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.3 A，T
J
=125
°
C
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.3 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
1
1.9
– 4.1
20
26
27
20
25
33
45
30
23
1
10
±
100
3
V
毫伏/
°
C
A
nA
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
毫伏/
°
C
m
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
570
140
70
2.1
pF
pF
pF
16
8
35
6
15
8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V，I
D
= 6.3 A,
8
4
22
3
10
6
1.7
2.1
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
（注2 ）
0.8
18
9
I
F
= 6.3 A，D
IF
/d
t
= 100 A/
s
1.3
1.2
A
V
ns
nC
R
θ
JA
是的总和的结点至外壳和外壳到环境阻力在哪里的情况下热基准日网络定义为漏极引脚上的焊锡安装面。
θ
JC
is
通过设计保证，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a.
b.
安装在一个1英寸时， 78℃ / W的
2
的2盎司覆铜的FR- 4电路板焊盘。
安装在一个最小焊盘时为156℃ / W 。
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
S，占空比
≤
2.0%
2
FDC655BN版本C （ W）
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FDC655BN单N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
典型特征
25
V
GS
= 10V
20
4.0V
2.2
V
GS
= 3.5V
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
1
2
3
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压（V ）
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
4.5V
15
3.5V
10
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
5
3.0V
0
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.09
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 6.3A
V
GS
= 10.0V
I
D
= 3.2A
1.4
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.07
1.2
0.05
T
A
= 125
o
C
0.03
1
0.8
T
A
= 25 C
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.01
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化
withTemperature 。
25
V
DS
= 5V
20
100
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
V
GS
= 0V
I
S
，反向漏电流（ A）
10
I
D
，漏电流（ A）
1
15
T
A
= 125°C
25°C
-55°C
0.1
10
T
A
= 125° C
-55°C
5
25°C
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
3
FDC655BN版本C （ W）
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FDC655BN单N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
典型特征
10
800
I
D
= 6.3A
V
DS
= 10V
20V
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
V
GS
，栅源电压（V ）
8
15V
电容（pF）
600
6
C
国际空间站
400
4
C
OSS
200
2
C
RSS
0
0
2
4
6
8
Q
g
，栅极电荷（ NC）
10
12
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS （ ON）
极限
100
s
1ms
10ms
100ms
1s
1
DC
V
GS
= 10.0V
单脉冲
R
JA
= 156
o
C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
o
图8.电容特性。
5
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
I
D
，漏电流（ A）
10
4
单脉冲
R
JA
= 156_C / W
T
A
= 25°C
3
10s
2
0.1
1
0
0.1
1
10
t
1
，时间（秒）
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
JA
（吨） = R （t）的R *
JA
R
JA
= 156_C / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
0.001
0.0001
0.001
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
4
FDC655BN版本C （ W）
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FDC655BN单N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
典型特征
V
DS
V
GS
R
GE
0V
L
BV
DSS
t
P
DUT
+
V
DD
V
DS
I
AS
V
DD
–
tp
V
GS
I
AS
0.01
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
t
AV
图12.非钳位感应
负载测试电路
漏电流
同一类型DUT
图13.非钳位感应
波形
+
10V
50k
10 F
1 F
-
+
V
DD
–
V
GS
DUT
V
GS
I
G（ REF ）
Q
GS
10V
Q
G（ TOT ）
Q
GD
充电， （ NC）
图14.栅极电荷测试电路
图15.栅极电荷波形
t
ON
t
关闭
t
D（关闭）
t
r
t
f
90%
V
DS
V
GS
R
根
R
L
V
DS
t
D（上）
90%
+
DUT
V
DD
0V
10%
90%
10%
–
V
GS
V
GS
脉冲宽度
≤
1s
占空比
≤
0.1%
50%
0V
10%
50%
脉冲宽度
图16.开关时间
测试电路
图17.开关时间波形
5
FDC655BN版本C （ W）
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