FDC655BN单N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
典型特征
V
DS
V
GS
R
GE
0V
L
BV
DSS
t
P
DUT
+
V
DD
V
DS
I
AS
V
DD
–
tp
V
GS
I
AS
0.01
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
t
AV
图12.非钳位感应
负载测试电路
漏电流
同一类型DUT
图13.非钳位感应
波形
+
10V
50k
10 F
1 F
-
+
V
DD
–
V
GS
DUT
V
GS
I
G（ REF ）
Q
GS
10V
Q
G（ TOT ）
Q
GD
充电， （ NC）
图14.栅极电荷测试电路
图15.栅极电荷波形
t
ON
t
关闭
t
D（关闭）
t
r
t
f
90%
V
DS
V
GS
R
根
R
L
V
DS
t
D（上）
90%
+
DUT
V
DD
0V
10%
90%
10%
–
V
GS
V
GS
脉冲宽度
≤
1s
占空比
≤
0.1%
50%
0V
10%
50%
脉冲宽度
图16.开关时间
测试电路
图17.开关时间波形
5
FDC655BN版本C （ W）
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