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IRF5801PbF
160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
C，电容（pF ）
120
V GS = 0V ， F = 1 MHZ
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
20
I
D
=
0.36A
16
V
DS
= 160V
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
西塞
80
12
8
40
科斯
CRSS
4
0
1
10
100
1000
0
0
1
2
3
4
5
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
10
100
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
10
T
J
= 150
°
C
1
10us
1
100us
1ms
0.1
10ms
T
J
= 25
°
C
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.01
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
100
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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