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IRF5801PbF
TSOP - 6磁带&卷轴信息
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
I
SD
≤
0.36A ， di / dt的
≤
93A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C.
起始物为
J
= 25℃时，L =分别按27MH
R
G
= 25, I
AS
= 0.36A.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
该产品的设计和合格的消费市场。
资质标准可在IR的网站上找到。
IR全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ， USA电话： （ 310 ） 252-7105
TAC传真： （ 310 ） 252-7903
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