位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第782页 > IRF5801TRPBF > IRF5801TRPBF PDF资料 > IRF5801TRPBF PDF资料1第2页
IRF5801PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
200
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.26
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
2.2
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.36A
5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
25
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 30V
nA
-100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
0.44 ––– –––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 0.36A
–––
3.9 –––
I
D
= 0.36A
–––
0.8 –––
nC
V
DS
= 160V
–––
2.2 –––
V
GS
= 10V
–––
6.5 –––
V
DD
= 100V
–––
8.0 –––
I
D
= 0.36A
ns
–––
8.8 –––
R
G
= 53
–––
19 –––
V
GS
= 10V
–––
88 –––
V
GS
= 0V
–––
18 –––
V
DS
= 25V
–––
6.3 –––
pF
= 1.0MHz的
––– 102 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
8.4 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V ， = 1.0MHz的
–––
26 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
典型值。
–––
–––
马克斯。
9.9
0.6
单位
mJ
A
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
45
54
1.8
A
4.8
1.3
–––
–––
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 0.36A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 0.36A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
2
www.irf.com
