CY14MB064J1A/CY14MB064J2A
CY14ME064J1A/CY14ME064J2A
该NVSRAM进入睡眠模式如下：
1.主机发送一个START命令
2.主机发送控制寄存器从设备ID与我
2
C
写位组（ R / W = ' 0 ' ）
3.从（的nvSRAM ）发送一个ACK返回给主
4.主机发送命令寄存器地址（和0xAA ）
5.从（的nvSRAM ）发送一个ACK返回给主
6.主机发送命令寄存器的字节进入
进入睡眠模式
7.从（的nvSRAM ）发送一个ACK返回给主
8.主机产生一个停止条件。
一旦进入睡眠模式，设备启动消费我
ZZ
当前
t
睡觉
SLEEP指令后时间登记。该装置是
不正常操作访问，直到它退出睡眠模式。
该NVSRAM吨后醒来
WAKE
该设备后持续时间
从机地址是由主机发送。
传输任何两个从地址的唤醒的nvSRAM
从休眠模式。该NVSRAM器件是不是在访问
t
睡觉
和T
WAKE
间隔，并且任何尝试访问
的nvSRAM设备由主机被忽略和NVSRAM发
NACK给主。作为确定的另一种方法
当设备准备就绪后，主控制器可以发送读或写
命令和寻找一个ACK 。
图9.自动存储模式
V
CC
0.1 uF的
V
CC
V
帽
V
帽
V
SS
硬件RECALL （上电）
在上电期间，当V
CC
十字V
开关
中，自动
RECALL顺序启动，其中传输的内容
非易失性存储器向SRAM 。这些数据将以前
已经被存储在非易失性存储器通过一条STORE
序列。
开机通电RECALL周期为吨
FA
时间来完成，
在这段时间内的存储器访问被禁止。
写保护（ WP ）
在WP引脚为高电平有效引脚和保护整个内存和
从写入操作的所有寄存器。以抑制所有的写
操作时，该引脚必须保持为高。当该引脚为高电平时，所有的
内存和寄存器的写操作被禁止和地址
计数器不递增。该引脚内部拉低
因此可以保持打开状态，如果不使用。
写操作
从器件地址的最后一位表示读或写
操作。的情况下的写入操作中，从器件的地址
随后是存储器或寄存器的地址和数据。写
操作继续，只要一个停止或重复启动
由主机产生，或者如果NACK是通过发行条件
该NVSRAM 。
而NACK从的nvSRAM下下发行
条件：
1.有效的设备ID没有收到。
2.写（突发写入）访问受保护的内存块
地址返回从的nvSRAM一个NACK后的数据字节是
收到。然而，地址计数器被设置为这个地址
和下面的当前的读操作开始，从本
地址。
3.写入/读取的随机访问到一个无效的或超出绑定
内存地址后返回NACK从的nvSRAM
地址被接收。地址计数器保持不变
在这样的情况下。
后到NACK从的nvSRAM ，写操作送出
被终止，并且在SDA线上的任何数据将被忽略，直到
STOP或由产生重复启动条件
高手。
例如，考虑这样一种情况的突发写入访问
对控制寄存器从地址0x01写入的执行
序列号，并继续到地址0×09 ，这是一个只读
只有注册。该器件返回NACK和地址计数器
不会递增。阿继读操作将启动
从地址0×09 。此外，的nvSRAM响应任何
写操作时，其从一个写保护的地址开始（说，
0×09 ） ，用一个NACK数据字节后发送，并设置
自动存储操作
该自动存储操作的nvSRAM ，一个独特的功能，
自动存储在SRAM中的数据QuantumTrap细胞
在断电期间。这家商店使用外部电容
(V
帽
） ，使设备安全地存储在数据
当电源出现故障非易失性存储器。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。当
电压在V
CC
引脚低于V
开关
在掉电模式下，
该设备禁止所有内存存取的nvSRAM和
自动执行使用条件STORE操作
从V充电
帽
电容。所述自动存储操作不
如果没有写周期已经从上次开始执行
存储或调用。
记
如果电容器没有连接至V
帽
针，自动存储
必须通过发出自动存储禁用指令被禁用
在指定的
命令寄存器第8页。
如果自动存储为
而对V电容器启用
帽
销，该设备的尝试
自动存储操作没有足够的费用来完成
商店。这会破坏存储在的nvSRAM以及数据
序列号并解锁SNL位。
图9
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）的自动存储操作。请参阅
直流电气
第18页上的特点
对于V的大小
帽
.
文件编号： 001-70393修订版* I
第9页的28
