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8.8
8.8.1
嵌入式闪存
闪存总览
该SAM7S512的Flash组织在两家银行1024页，每页256字节（双平面） 。在524,288字节
被组织成32位字。
该SAM7S256的Flash组织在256个字节1024页（单机） 。在262,144字节
组织中的32位字。
该SAM7S128的Flash组织在256个字节512页（单机） 。在131,072字节
组织中的32位字。
该SAM7S64的Flash组织在128个字节512页（单机） 。在65,536个字节的组织
在32位字。
在SAM7S321 / 32的Flash组织在128个字节256页（单机） 。在32,768个字节
组织中的32位字。
在SAM7S161 / 16的Flash组织中的64个字节256页（单机） 。 16,384字节
组织中的32位字。
在SAM7S512 / 128分之256的闪存包含一个256字节的写缓冲区，通过32位接口访问。
在SAM7S64的/ 321 /32 /十六分之一百六十一闪存包含一个128字节的写缓冲区，通过32位接口访问。
闪存受益于复位单元的整合，并从掉电检测。这可以防止代码
在电源的变化，即使在最恶劣条件下的腐败。
当不使用闪光灯（读或写访问） ，它会自动置于待机模式。
8.8.2
嵌入式Flash控制器
内置Flash控制器（ EFC ）管理的系统的主人进行访问。它使阅读
闪存和写入的写入缓冲器。它还包含了一个用户界面，映射到APB的存储器控制器内。
用户界面允许：
的闪光（等待状态，定时，数量等）的访问参数进行编程
启动诸如全片擦除，页擦除，页写， NVM位设置， NVM位清除等命令
获得最后一个命令的结束状态
得到错误状态
上的最后一个命令或在错误结束的编程中断
内置Flash控制器还提供了优化的16位访问闪存的双32位预取缓冲器。这
是特别有效的，当所述处理器在Thumb模式下运行。
两个EFCS嵌入在SAM7S512控制256千字节的每个银行。双平面组织可
并发读取和编程。从一个平面内存读取，可以进行甚至在编程或擦除功能
在其它存储器平面被执行。
一EFC埋设在SAM7S256 / 128 /64 / 321分之32 / 16分之161来控制单个平面256/128/64/32/16字节。
SAM7S系列[数据表]
6175M–ATARM–26-Oct-12
22
