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快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
没有自动擦除页编程： 3毫秒
整片擦除时间： 15毫秒
万写周期， 10年数据保持能力
16位锁定，保护32页16个扇区
保护模式，以确保对Flash内容
快速SRAM的16字节
全速单周期访问
8.5
SAM7S321/32
32 KB闪存，单平面
256页的128个字节
快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
没有自动擦除页编程： 3毫秒
整片擦除时间： 15毫秒
万写周期， 10年数据保持能力
8位锁，保护8部门32页
保护模式，以确保对Flash内容
8 KB的快速SRAM
全速单周期访问
8.6
SAM7S161/16
Flash存储器的16 KB的，单一的平面
256页的64字节
快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
没有自动擦除页编程： 3毫秒
整片擦除时间： 15毫秒
万写周期， 10年数据保持能力
8位锁，保护8部门32页
保护模式，以确保对Flash内容
4 KB的快速SRAM
全速单周期访问
SAM7S系列[数据表]
6175M–ATARM–26-Oct-12
19
