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8.
8.1
回忆
SAM7S512
512 KB闪存，双平面
1024页，每页256字节的2个连续的银行
快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
没有自动擦除页编程： 3毫秒
整片擦除时间： 15毫秒
万写周期， 10年数据保持能力
32位锁定，保护32个扇区的64页
保护模式，以确保对Flash内容
64 KB的快速SRAM
全速单周期访问
8.2
SAM7S256
256 KB闪存，单平面
1024页的256个字节
快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
没有自动擦除页编程： 3毫秒
整片擦除时间： 15毫秒
万写周期， 10年数据保持能力
16位锁定，保护64页16个扇区
保护模式，以确保对Flash内容
64 KB的快速SRAM
全速单周期访问
8.3
SAM7S128
128 KB闪存，单平面
512页的256个字节
快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
没有自动擦除页编程： 3毫秒
整片擦除时间： 15毫秒
万写周期， 10年数据保持能力
8位锁，保护8部门64页
保护模式，以确保对Flash内容
32 KB的快速SRAM
全速单周期访问
8.4
SAM7S64
64 KB闪存，单平面
512页的128个字节
SAM7S系列[数据表]
6175M–ATARM–26-Oct-12
18
