初步技术信息
TrenchHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTA56N15T
IXTP56N15T
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 150
V
= 56
A
Ω
36 mΩ
≤
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25 ℃175 ℃;
GS
= 1 MΩ
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
175 ° C，R
G
= 5
Ω
T
C
= 25°C
最大额定值
150
150
±
30
56
140
5
500
3
300
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
TO- 263 （ IXTA ）
G
V
A
A
A
mJ
V / ns的
G
W
°C
°C
°C
°C
°C
S
（ TAB ）
的TO-220 （ IXTP ）
S
（ TAB ）
D =漏
TAB =漏
G =门
S =源
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料体10秒
安装扭矩（ TO- 220 ）
TO-220
TO-263
300
260
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
3
2.5
g
g
特点
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
175
°C
工作温度
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
150
2.5
4.5
±
100
5
200
36
V
V
nA
μA
μA
m
Ω
V
GS
= 10 V，I
D
= 28 A，注意事项1， 2
DS99800 （ 03/07 ）
2007 IXYS公司，保留所有权利。
