IXTA56N15T
IXTP56N15T
符号
测试条件
特征值
分钟。
23
典型值。
39
2250
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
330
50
电阻开关时间
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 28 A
R
G
= 5
Ω
（外部）
16
17
43
18
34
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25 A
10
11
马克斯。
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
DIM 。
TO- 263 （ IXTA ）大纲
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
TO-220
V
DS
= 10 V ;我
D
= 28 A，注1
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
nC
nC
0.50
° C / W
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
0.50
° C / W
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
V
GS
= 0 V
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 25 A，V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 50 V, V
GS
= 0 V
100
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
56
160
1.1
A
A
V
ns
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
TO- 220 （ IXTP ）大纲
注：1 。
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比D
≤
2 %;
2.在通孔封装，R
DS （ ON）
开尔文测试接触
位置必须是等于或小于5mm的封装体。
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
PRELIMINARYTECHNICALINFORMATION
本文中所呈现的产品正在开发中。技术规格
提供的是从过程中的初步目标刻画收集的数据导出
工程地段;而且还可能含有预期间提供了一些资料
产品设计评估。 IXYS保留更改限制，试验条件的权利，
和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
由一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405 B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
7,005,734 B2 7,157,338B2
7,063,975 B2
7,071,537
