IXTA56N15T
IXTP56N15T
图。 7.输入导纳
70
55
50
60
45
50
40
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
25C
35
30
25
20
15
10
5
150C
40
T
J
= 150C
25C
- 40C
30
20
10
0
3.4
3.8
4.2
4.6
5
5.4
5.8
6.2
6.6
7
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
160
140
120
7
10
9
8
V
DS
= 75V
I
D
= 25A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 25C
100
80
T
J
= 150C
60
40
6
5
4
3
2
20
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
F = 1 MHz的
1.00
图。 12.最大瞬态热
阻抗
电容 - 皮法
国际空间站
Z
（日） JC
- C / W
30
35
40
1,000
0.10
OSS
100
RSS
10
0
5
10
15
20
25
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
