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KAB0xD100M - TxGP
UtRAM交流特性
（VCC
U
= 2.7 3.1V ，T
A
= -25至85°C ）
SEC只
MCP内存
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
读
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
85
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
5
85
70
0
70
70
60
0
0
35
0
5
85ns
1)
最大
-
85
85
40
85
-
-
-
25
25
25
-
-
-
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-
-
-
-
25
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.在连续写操作的限制是最多50倍。如果你想写连续超过50次，请参阅技术说明。
- 65 -
修订1.11
2003年8月
