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KAB0xD100M - TxGP
NAND闪存状态读取周期
t
CLS
CLE
t
CLS
t
CS
CE
F
t
CH
t
WP
WE
t
WHR
RE
t
DS
DQ
x
70h
t
DH
t
IR
t
REA
t
CEA
t
CLH
SEC只
MCP内存
t
CHZ *
t
OH
t
RHZ *
t
OH
状态输出
NAND FLASH READ1操作
（阅读下一页）
CLE
CE
F
t
WC
WE
t
WB
t
AR
ALE
t
R
RE
t
RR
DQ
x
00h
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
23
DOUT
DOUT N + 1
DOUT N + 2
DOUT N + 3
t
CHZ
t
OH
t
RC
t
RHZ
t
OH
≈ ≈
≈
DOUT 264
COLUMN
地址
页（行）
地址
忙
R / B
F
- 62 -
修订1.11
2003年8月
