KAB0xD100M - TxGP
文档标题
多芯片封装存储器
SEC只
MCP内存
64M位（ 8Mx8 / 4Mx16 ）双组NOR闪存/ 128M位（ 8Mx16 ） NAND闪存/ 32M位（ 2Mx16 ） UtRAM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
最初的草案
在NAND闪存插入无ECC条件
耐力（第1页）
： 1000编程/擦除周期的最大无ECC
程序流（ 39page ）
：编程后排除"Read Verify"一步在这种情况下
<Common>
修订吨
BIAS
(43page)
从"-25至85" ，以"-40至125"
修订后的V
IL
(43page)
从最大。 0.6V至最大。 0.5V
修订后的V
OH
(43page)
从分钟。 2.4V到最小。 2.3V
修订后的人工晶体（ 43page ）
从0.1毫安到最大。 2.1毫安
修订后的IOH （ 43page ）
从-0.1mA到最大。 -1.0mA
<NAND>
修订后的内部电压，禁用所有功能（ 37page ）
从2V至1.3V
修订后的上电和掉电恢复时间（ 37page ）
从分钟。为1μs到最小。为10μs
修订后的写周期（ TWC ） （ 59page ）
从为50ns到最小。为45nS
ALE结合到RE延迟ID读和读周期（ 59page ）
从分钟。为20ns和50ns的到最小。为10ns
修订后的稀土访问时间（t
REA
)(59page)
从最大。为35ns至最大。为30ns
排除分钟。稀土高价值输出高阻（T
REH
)(59page)
插入RE或CE
F
高到输出保持（T
OH
）与分钟。 15ns的（ 59page ）
修订后的时序图
敲定
修订后的<NOR>
- 从典型释放待机电流。 5UA （最大18uA ），以典型。
为10uA （最大为30uA ） 。
修订后的<NAND>
- 修正了一些错别字的时序图
草案日期
2002年3月20日
2002年3月28日
备注
初步
初步
0.2
2002年3月28日
初步
0.3
2002年6月17日
最终科幻
1.0
1.1
2002年10月15日
2003年6月18日
最终科幻
最终科幻
1.11
2003年8月14日
最终科幻
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的网站。
http://samsungelectronics.com/semiconductors/products/products_index.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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修订1.11
2003年8月
KAB0xD100M - TxGP
多芯片封装存储器
特点
SEC只
MCP内存
概述
该KAB0xD100M具有单一3.0V电源是多
芯片封装存储器结合了64Mbit的NOR闪存，
128Mbit的NAND闪存和32兆单位晶体管的CMOS RAM中。
64Mbit的NOR闪存的组织结构8M ×8或4M X16位，
的128Mbit NAND闪存的组织结构8M X16位和
32兆UtRAM组织为2M X16位。内存architec-
NOR闪存TURE被设计来划分它的存储器阵列
到135块，这提供了高度灵活的擦除和编程
能力。此装置能够读取数据从一个存储
而编程或擦除与双银行等银行
组织。 NOR闪速存储器执行中的程序操作
8位（字节）或16位（字）单位和擦除的单元
块。单个或多个块可以被擦除。块擦除
操作被完成通常0.7sec 。
在128Mbit的NAND闪存256字的页面程序可以一般
为200μs内完成和8K字块擦除即可典型
2毫秒内实现美云。在串行读操作中，一个字节可以是
通过50ns的读取。 DQ管脚用作地址和数据端口
输入/输出以及命令输入。该KAB0xD100M是
适合于移动通信系统中的到所述存储器
减少不仅安装面积，而且功耗。这
器件采用80球TBGA封装。
64M位（ 8Mx8 / 4Mx16 ）双组NOR闪存/ 128M位（ 8Mx16 ） NAND闪存/ 32M位（ 2Mx16 ） UtRAM
电源电压： 2.7V 3.1V
组织
- NOR闪存： 8388608 ×8位/ 4,194,304 ×16位
- NAND闪存： （ 8M + 256K ）位x 16位
- UtRAM ： 2兆比特×16位
存取时间
- NOR闪存：为70ns （最大）
（最大） - NAND闪存：随机为10us ，串口：为50ns （最小值）
- UtRAM ： 85ns
功耗（典型值）
- NOR闪存读取电流： 14毫安（ @ 5MHz的）
编程/擦除电流： 15毫安
阅读的同时写入或读出，而擦除： 35毫安
待机模式/自动休眠模式：
10A
- NAND闪存读取电流： 10毫安（ @ 20MHz的）
编程/擦除电流： 10毫安
待机电流： 10μA
- UtRAM工作电流： 30毫安
待机电流： 80μA
NOR闪存Secode （验证码）块：额外的64KB块
NOR闪存块组保护/ unprotection的
NOR闪存银行规模： 16兆/ 48MB ， 32MB / 32MB的
NAND闪存的自动编程和擦除
页编程： （ 256 + 8 ）字，块擦除： （ 8K + 256 ）字
NAND闪存快速写周期时间
节目时间：为200μs （典型值）。
块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
耐力
NOR ：100,000编程/擦除周期最短
NAND ：100,000编程/擦除周期最短，带ECC
： 1000编程/擦除周期的最大无ECC
数据保存期：10年
工作温度： -25 ° C 85°C
包装： 80 - 球TBGA类型 - 8 ×12毫米，0.8毫米间距
球说明
球NAME
A0到A20
A-1, A21
DQ0到DQ7
DQ8到DQ15
VCC
R
VCC
F
VCC
U
VCCQ
U
VSS
WE
OE
CE
R
CE
F
CS
U
RESET
WP / ACC
字节
描述
地址输入球（ NOR ， UtRAM ）
地址输入球（ NOR）
数据输入/输出球（通用）
数据输入/输出球（通用）
电源供应器（ NOR ）
电源供应器（NAND ）
电源（ UtRAM ）
数据输出缓冲器电源（ UtRAM ）
接地（公共）
写使能（普通）
输出使能（ NOR ， UtRAM ）
芯片使能（ NOR ）
芯片使能（NAND ）
芯片使能（ UtRAM ）
硬件复位（ NOR ）
硬件写保护/程序
加速（ NOR ）
字节控制（ NOR ）
读/忙（ NOR ）
写保护（NAND ）
命令锁存使能（NAND ）
地址锁存使能（NAND ）
读/忙（NAND ）
输出使能（NAND ）
深度掉电（ UtRAM ）
高字节使能（ UtRAM ）
低字节使能（ UtRAM ）
无连接
不要使用
球CON组fi guration
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
DNU
DNU
A6
A5
A4
A3
A1
A0
OE
DQ8
DQ0
DNU
DNU
R / B
R
A18
A17
CLE
ALE
WP /
加
A7
WP
CE
R
N.C
VCC
F
VCC
U
VSS
R / B
F
A9
A10
2
3
4
5
6
7
8
DNU
DNU
A12
A13
A14
A15
RESET
N.C
N.C
LB
CE
F
N.C
WE
A20
A19
RE
A2
CS
U
UB
ZZ
N.C
VSS
VCC
U
VCC
F
A11
A8
A21
N.C
DQ12
N.C
R / B
R
字节
A16
WP
CLE
ALE
R / B
F
RE
ZZ
UB
LB
N.C
DNU
DQ2 DQ11
VCCQ
U
DQ9
DQ3
N.C
DQ5 DQ14
DQ13
DQ7
DQ15
/A-1
DNU
DNU
N.C
DQ4
DQ1 DQ10的Vcc
R
DQ6
80球TBGA ， 0.8mm间距
俯视图（球下）
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
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修订1.11
2003年8月
KAB0xD100M - TxGP
订购信息
SEC只
MCP内存
K A B 0X D 1 0 0 M - T的LGP
三星MCP内存
（ 3Chip MCP ）
设备类型
B：双行NOR + NAND + UtRAM
存取时间
LGP ： NOR （为70ns ）NAND （为50ns ） ， UtRAM （ 85ns ）
NGP ： NOR （ 80ns的）， NAND （为50ns ） ， UtRAM （ 85ns ）
NOR闪存的密度，VCC &组织。
： 64M ， VCC = 3.0V ， &组织= X8 / X16
：银行规模（引导块）
01
： 16M / 48M （下）
02
： 16M / 48M （上）
03
： 32M / 32M （下）
04
： 32M / 32M （上）
包
T = 80 TBGA
VERSION
M =第1代
NAND闪存密度（VCC ，组织。 ）
D
： 128M （ 3.0V ， X16 ）
DRAM I / F ，密度（VCC ，组织。 ）
0
：无
UtRAM密度（VCC ，组织。 ）
1
： 32M （ 3.0V ， X16 ）
SRAM密度（VCC ，组织。 ）
0
：无
图1.功能框图
VCC
R
VSS
RESET
R / B
R
A0到A20
A-1, A21
字节
CE
R
OE
WE
I / O
接口
＆放大器;
银行
控制
Bank1
地址
X
DEC
Bank1
电池阵列
十二月
Bank1的数据输入/输出
BANK2数据输入/输出
LATCH &
控制
DQ
0
到DQ
15
LATCH &
控制
十二月
Bank2
地址
X
DEC
Bank2
电池阵列
抹去
控制
节目
控制
高
电压
将军
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型GATING
下半场页面注册& S / A
128M + 4M位
NAND闪存
ARRAY
（ 256 + 8 ）字X 32768
上半场页面注册& S / A
Y型GATING
RE
ALE
CLE
WP
CE
F
VCC
F
VSS
R / B
F
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
DQ
0
到DQ
15
DQ
0
到DQ
15
命令
注册
I / O缓冲器&锁存器
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLK GEN 。
预充电电路。
ZZ
UB
LB
CS
U
VCC
U
VCCQ
U
VSS
控制
逻辑
数据
控制
ROW
SELECT
UtRAM
主单元阵列
（2MB ×16）
DQ
0
到DQ
15
I / O电路
列选择
底部引导块，
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修订1.11
2003年8月
KAB0xD100M - TxGP
图2. NAND闪存阵列组织
SEC只
MCP内存
1块= 32页
= （ 8K + 256 ）字
32K网页
（ = 1024块）
页寄存器
（ = 256字节）
第1页= 264字
1块= 264字× 32页
= （ 8K + 256 ）字
1设备= 264字× 32Pages X 1024Blocks
= 132兆位
16位
8个字
256个字
页寄存器
256个字
DQ 0 DQ 15
8个字
DQ 0
第一个周期
第二个周期
第三轮
A
0
A
9
A
17
DQ 1
A
1
A
10
A
18
DQ 2
A
2
A
11
A
19
DQ 3
A
3
A
12
A
20
DQ 4
A
4
A
13
A
21
DQ 5
A
5
A
14
A
22
DQ 6
A
6
A
15
A
23
DQ 7
A
7
A
16
*L
DQ8 15
*L
*L
*L
列地址
行地址
（页面地址）
注意：
列地址：启动注册的地址。
* L必须设置为"Low"
-4-
修订1.11
2003年8月
KAB0xD100M - TxGP
KAB
02D1
00
KAB
04D1
00
块地址
块
A21
A20
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
SEC只
MCP内存
地址范围
字节模式
文字模式
表1. NOR闪存热门引导块地址（ KAB02D100 / KAB04D100 ）
BLOCK SIZE
（ KB / KW ）
BA134
BA133
BA132
BA131
BA130
BA129
BA128
BA127
BA126
BA125
BA124
BA123
BA122
BA121
BA120
BA119
BA118
BA117
Bank1
Bank1
BA116
BA115
BA114
BA113
BA112
BA111
BA110
BA109
BA108
BA107
BA106
BA105
BA104
BA103
BA102
BA101
BA100
BA99
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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1
1
1
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1
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1
1
0
0
0
0
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0
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0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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0
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0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
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1
1
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1
1
1
1
1
1
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0
0
0
1
1
1
1
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0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
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1
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1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
1
0
0
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
1
1
0
0
1
1
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
1
0
1
0
1
0
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
7FE000H-7FFFFFH
7FC000H-7FDFFFH
7FA000H-7FBFFFH
7F8000H-7F9FFFH
7F6000H-7F7FFFH
7F4000H-7F5FFFH
7F2000H-7F3FFFH
7F0000H-7F1FFFH
7E0000H-7EFFFFH
7D0000H-7DFFFFH
7C0000H-7CFFFFH
7B0000H-7BFFFFH
7A0000H-7AFFFFH
790000H-79FFFFH
780000H-78FFFFH
770000H-77FFFFH
760000H-76FFFFH
750000H-75FFFFH
740000H-74FFFFH
730000H-73FFFFH
720000H-72FFFFH
710000H-71FFFFH
700000H-70FFFFH
6F0000H-6FFFFFH
6E0000H-6EFFFFH
6D0000H-6DFFFFH
6C0000H-6CFFFFH
6B0000H-6BFFFFH
6A0000H-6AFFFFH
690000H-69FFFFH
680000H-68FFFFH
670000H-67FFFFH
660000H-66FFFFH
650000H-65FFFFH
640000H-64FFFFH
630000H-63FFFFH
3FF000H-3FFFFFH
3FE000H-3FEFFFH
3FD000H-3FDFFFH
3FC000H-3FCFFFH
3FB000H-3FBFFFH
3FA000H-3FAFFFH
3F9000H-3F9FFFH
3F8000H-3F8FFFH
3F0000H-3F7FFFH
3E8000H-3EFFFFH
3E0000H-3E7FFFH
3D8000H-3DFFFFH
3D0000H-3D7FFFH
3C8000H-3CFFFFH
3C0000H-3C7FFFH
3B8000H-3BFFFFH
3B0000H-3B7FFFH
3A8000H-3AFFFFH
3A0000H-3A7FFFH
398000H-39FFFFH
390000H-397FFFH
388000H-38FFFFH
380000H-387FFFH
378000H-37FFFFH
370000H-377FFFH
368000H-36FFFFH
360000H-367FFFH
358000H-35FFFFH
350000H-357FFFH
348000H-34FFFFH
340000H-347FFFH
338000H-33FFFFH
330000H-337FFFH
328000H-32FFFFH
320000H-327FFFH
318000H-31FFFFH
-5-
修订1.11
2003年8月
QQ：2880707522 复制
