DRV8800
DRV8801
SLVS855F
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2008年7月
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经修订的2012年1月
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电荷泵
电荷泵用来产生上述VBB的供给来驱动源侧的DMOS栅极。一个0.1 μF
陶瓷单片电容应连接CP1和CP2之间抽水的目的。一个0.1 μF
陶瓷单片电容器， CStorage ，应连接的VCP和VBB之间充当储到运行
高侧的DMOS器件。 VCP的电压电平可以通过内部检测，在故障条件的情况下，
该装置的输出被禁止。
关闭
作为保护装置的量度，故障引起的非常高的结温或VCP低电压
禁用该设备的输出，直到故障被清除。上电时，UVLO电路将禁用
驱动程序。
低功耗模式
控制输入nSLEEP是用来最大限度地降低功耗，当DRV8800 / DRV8801不使用。这
禁用多的内部电路，包括内部电压轨和电荷泵。 nSLEEP是断言
低。逻辑高电平在这个输入引脚产生正常运行。当从低切换到高时，用户应
允许应用PWM信号前1毫秒的延迟。是需要的电荷泵来稳定这段时间。
模式1（ MODE的DRV8800 ）
输入模式1用于快速衰减模式和慢衰减模式之间进行切换。逻辑高电平使器件
在慢速衰减模式。
模式2 （ DRV8801只）
模式2用于选择其中一组驱动器（高侧与低侧）缓慢衰变过程中使用
再循环。模式2是有意义的，只有当MODE 1为高电平。对模式2的逻辑高电平有
电流再循环通过高侧驱动器。一个逻辑低电平有通过低侧电流回流
驱动程序。
制动
制动功能通过驱动装置在缓慢衰减模式实现（模式1引脚为高电平），并
拉高使能为低。由于可以通过DMOS驱动电流在两个方向上
开关，该结构有效地短路了电机产生的反电动势，只要ENABLE斩波模式
为有效。最大电流可以通过VBEMF / RL来近似。应当注意，以确保
该器件的最大额定值不会在最坏情况下的制动情况下突破
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高速和高惯性
负载。
诊断输出
该nFAULT引脚信号通过一个开漏输出的芯片有问题。电机故障，欠压状态，
或T
J
＆ GT ;
160℃驱动引脚低电平有效。这个输出是无效的时候nSLEEP使器件进入最低
功耗模式（即， nSLEEP低） 。 nFAULT停留在被断言（ nFAULT = 1） ，直到VBB达到VBBNFR
给电荷泵的余量达到欠压阈值。 nFAULT是一种状态，只有信号并执行
不影响任何器件功能。 H桥部分仍然正常运行，降低到VBB = 8 V与nFAULT
断言。
热关断（ TSD ）
两个管芯温度监控器都集成在芯片上。作为模具温度越接近最大值，一
热报警信号被触发，在160 ℃。此故障驱动nFAULT低，但不禁止
芯片的操作。如果模具温度进一步升高，至约175℃ ，在全桥输出
被禁止，直到内部温度低于15 ℃的迟滞。
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