DRV8800
DRV8801
SLVS855F
–
2008年7月
–
经修订的2012年1月
www.ti.com
应用信息
功耗
在该DRV8800 / DRV8801功耗的一阶近似可通过检查计算
在每个操作模式中的全桥功率耗散。 DRV8800 / DRV8801采用同步
整改。在衰减周期，体二极管由低-R的短路
DS （ ON）
驱动器，从而减少
功耗在全桥。为了避免贯通上是相同的（高侧和低侧驱动器
一边是在同一时间） ， DRV8800 / DRV8801实现500 ns的典型交叉延迟时间。在这
期间，该体二极管的衰减电流通路导通的电流，直到DMOS驱动接通。高
电流和高环境温度应用应考虑到这一点。此外，马达
参数和开关损耗可以增加功耗，可能会影响关键应用程序。
驱动电流
这个电流路径是通过高边源的DMOS驱动器，电机绕组，以及低侧下沉的DMOS
驱动程序。功耗I2R失去在一个源和一个水槽的DMOS驱动程序，如公式1所示。
P
D
= I （r
DS （ ON）来源
+ R
DS （ onSink ）
)
DRV8800
VBB
2
(1)
1
3
2
1驱动电流
2采用同步整流快速衰减（反向）
3衰减慢同步整流（制动）
14
提交文档反馈
版权
2008-2012年，德州仪器
产品文件夹链接（ S） ：
DRV8800 DRV8801
