FDMS7606双N沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征（ Q2 N沟道）
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 12 A
2000
C
国际空间站
8
6
V
DD
= 15 V
1000
电容（pF）
V
DD
= 10 V
C
OSS
4
V
DD
=
20 V
2
0
0
5
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
100
50
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
RSS
15
20
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图20.栅极电荷特性
图21.电容VS漏
至源极电压
40
I
D
,
漏电流（ A）
V
GS
= 10 V
30
I
AS
，雪崩电流（ A）
30
V
GS
= 4.5 V
10
T
J
= 25
o
C
T
J
= 100
o
C
20
不限按包
T
J
= 125
o
C
10
R
θ
JC
= 4.7 C / W
o
1
0.001
0
0.01
0.1
1
10
40
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
C
,
外壳温度
(
C
)
图22.非钳位感应
交换能力
70
图23.最大连续漏极
电流与外壳温度
500
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
I
D
，漏电流（ A）
10
100
μ
s
单脉冲
100
R
θ
JA
= 120℃ / W
o
1毫秒
1
这个区域是
限于由R
DS
(
on
)
10毫秒
100毫秒
1s
10s
DC
10
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 120
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
1
0.5
-4
10
10
-3
0.1
1
10
100200
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
T，脉冲宽度（秒）
图24.正向偏置安全
工作区
图25.单脉冲最大功率
耗散
2011仙童半导体公司
FDMS7606 Rev.C
8
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