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FDMS7606双N沟道PowerTrench

MOSFET

2011年5月

FDMS7606

双N沟道PowerTrench

MOSFET

Q1 ： 30 V ， 12 A， 11.4 mΩ的Q2 ： 30 V ， 22 A， 11.6毫欧

特点

Q1 ： N沟道

最大

DS （ ON）

= 11.4毫欧，在V

GS

= 10 V，I

D

= 11.5 A

最大

DS （ ON）

= 15.7毫欧，在V

GS

= 4.5 V，I

D

= 10 A

Q2 ： N沟道

最大

DS （ ON）

= 11.6毫欧，在V

GS

= 10 V，I

D

= 12 A

最大

DS （ ON）

= 17.2毫欧，在V

GS

= 4.5 V，I

D

= 9.5 A

符合RoHS

概述

该器件包括两个专门的N沟道MOSFET的

双MLP封装。交换节点已在内部

连接，可方便地放置和同步路由

降压转换器。该控制用MOSFET （Q1）和同步

MOSFET（ Q2），已被设计成提供最佳功率

EF网络效率。

应用

计算

通讯

负载的通用点

笔记本充电器

S2

S1/D2

D1

顶部

电源56

D1

S2

G2

S2

5

6

7

Q2

4

D1

3

D1

2

D1

Q1

1

G1

底部

Pin1

G2

8

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

I

D

- 连续（包装有限公司）

- 连续（硅有限公司）

-Continuous

-Pulsed

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量

功率消耗单操作

工作和存储结温范围

（注4 ）

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

（注3）

T

C

= 25 °C

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

参数

Q1

30

±20

12

41

11.5

1a

Q2

30

±20

22

39

12

1b

60

33

2.5

1b

单位

V

A

50

25

2.2

1a

1c

mJ

W

°C

1.0

1d

-55到+150

热特性

R

θJA

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

57

1a

125

1c

4.6

50

1b

120

1d

4.7

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDMS7606

设备

FDMS7606

包

电源56

1

带尺寸

13 ”

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

3000台

www.fairchildsemi.com

2011仙童半导体公司

FDMS7606 Rev.C

FDMS7606双N沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

TYPE

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

ΔT

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏个当前

I

D

= 250

μA,

V

GS

= 0 V

I

D

= 250

μA,

参考25 ℃下

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= ±20 V, V

DS

= 0 V

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

30

16

20

1

100

±100

V

毫伏/°C的

μA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

ΔT

J

门源阈值电压

温度COEF网络cient

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

μA

I

D

= 250

μA,

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V，I

D

= 11.5 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 11.5 A，T

J

= 125°C

V

GS

= 10 V，I

D

= 12 A

V

GS

= 4.5 V ， I = 9.5

V

GS

= 10 V，I

D

= 12 A，T

J

= 125°C

V

DD

= 5 V，I

D

= 11.5 A

V

DD

= 5 V，I

D

= 12 A

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

1.0

2.1

1.9

-6

-5.5

9.2

12.6

11.8

9.7

12.8

12.3

53

47

11.4

15.7

14.7

11.6

17.2

15.4

3.0

V

毫伏/°C的

r

DS （ ON）

静态漏极至源极导通电阻

mΩ

Q2

Q1

Q2

g

FS

正向跨导

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

Q1:

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

Q2:

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

0.2

1050

947

295

191

32

131

1.6

1.0

1400

1260

395

255

50

200

4.0

2.5

pF

Ω

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V到5V

Q1

V

DD

= 15 V,

I

D

= 11.5 A

Q2

V

DD

= 15 V,

I

D

= 12 A

Q1

V

DD

= 15 V，I

D

= 11.5 A，R

根

= 6

Ω

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

7

6

3

18

19

3

16

19

8

10

3.2

2.6

2.0

4.2

14

12

10

33

34

10

22

27

11

15

ns

nC

Q2

V

DD

= 15 V，I

D

= 12 A，R

根

= 6

Ω

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FDMS7606双N沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

TYPE

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性

V

SD

V

GS

= 0

V

GS

= 0

源极 - 漏极二极管正向电压

V

GS

= 0

V

GS

= 0

反向恢复时间

反向恢复电荷

V，I

S

= 2 A

V，I

S

= 11.5 A

V，I

S

= 2 A

V，I

S

= 12 A

（注2 ）

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

0.76

0.87

0.75

0.85

22

18

7

6

1.2

35

33

13

12

V

t

rr

Q

rr

Q1

I

F

= 11.5 A， di / dt的= 100 A / S

Q2

I

F

= 12 A， di / dt的= 100 A / S

ns

nC

注意事项：

1.R

θJA

与安装在一个1的设备中确定

2

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计而

= CA

由下式确定

用户的电路板设计。

一。安装在57 ° C / W

在A 1

2

2盎司纯铜垫

B 。装在当50℃ / W的

在A 1

2

2盎司纯铜垫

。安装在当125 °C / W

2盎司纯铜最小焊盘

。安装在一个时120℃ / W的

2盎司纯铜最小焊盘

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300

μs,

占空比< 2.0 ％。

3.由于有N沟道器件，负栅极电压等级是只低占空比脉冲发生。没有连续得分的暗示

4. Q1 ：电子

AS

25兆焦耳是基于起始物为

J

= 25

o

C，L = 0.3 mH的，我

AS

= 13 A，V

DD

= 27 V, V

GS

= 10 V.

Q2 ：电子

AS

33兆焦耳是基于起始物为

J

= 25

o

C，L = 0.3 mH的，我

AS

= 15 A，V

DD

= 27 V, V

GS

= 10 V.

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MOSFET

典型特征（ Q1 N沟道）

T

J

= 25 ° C除非另有说明

50

归

漏极至源极导通电阻

5

V

GS

= 10 V

V

GS

= 3.5 V

I

D

，漏电流（ A）

40

30

20

10

V

GS

= 4 V

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 4 V

4

3

2

1

V

GS

= 6 V

V

GS

= 10 V

V

GS

= 6 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 3.5 V

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 4.5 V

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

0

10

20

30

40

50

V

DS

,

漏源极电压（ V）

I

D

,

漏电流（ A）

图1.地区特点

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

1.6

归

漏极至源极导通电阻

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-75

源导通电阻

(

m

Ω

)

I

D

= 11.5 A

V

GS

= 10 V

r

DS （ON ），

漏

32

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

I

D

= 11.5 A

24

16

T

J

= 125

o

C

T

J

= 25

o

C

-50

-25

0

25 50 75 100 125 150

T

J

,

结温

(

o

C

)

8

2

4

6

8

10

V

GS

,

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

50

I

S

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

50

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 0 V

I

D

，漏电流（ A）

40

V

DS

= 5 V

10

T

J

= 150

o

C

30

T

J

= 150

o

C

1

T

J

= 25

o

C

20

T

J

= 25

o

C

T

J

= -55

o

C

0.1

T

J

= -55

o

C

10

0

1.5

0.01

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

0.001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

GS

，门源电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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MOSFET

典型特征（ Q1 N沟道）

T

J

= 25 ° C除非另有说明

10

V

GS

，门源电压（ V）

2000

I

D

= 11.5 A

V

DD

= 10 V

电容（pF）

1000

V

DD

= 15 V

8

6

V

DD

=

20 V

C

国际空间站

C

OSS

4

2

100

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

C

RSS

0

3

6

9

12

15

18

10

0.1

1

10

30

Q

g

，栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

50

I

D

,

漏电流（ A）

20

I

AS

，雪崩电流（ A）

10

T

J

= 25

o

C

40

V

GS

= 10 V

T

J

= 100

o

C

30

V

GS

= 4.5 V

20

10

0

25

不限按包

o

R

θ

JC

= 4.6 C / W

T

J

= 125

o

C

1

0.001

0.01

0.1

1

10

40

50

75

100

o

125

150

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

T

C

,

外壳温度

(

C

)

图9.松开电感

交换能力

图10.最大连续漏极

电流与外壳温度

60

P

(

PK

)

，瞬态峰值功率（ W）

500

单脉冲

R

θ

JA

= 125℃ / W

o

I

D

，漏电流（ A）

10

100

μ

s

1毫秒

100

1

这个区域是

限于由R

DS

(

on

)

10毫秒

100毫秒

1s

10s

DC

10

0.1

单脉冲

T

J

=最大额定

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

1

0.5

-4

10

-3

0.01

0.1

1

10

100200

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源极电压（ V）

T，脉冲宽度（秒）

图11.正向偏置安全

工作区

图12.单脉冲最大

功耗

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