FDMS7606双N沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征（ Q2 N沟道）
T
J
= 25 C ，除非另有说明
60
50
I
D
，漏电流（ A）
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10 V
5
V
GS
= 6 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 3.5 V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
4
V
GS
= 3.5 V
40
30
20
10
0
0.0
3
V
GS
= 4 V
2
1
V
GS
= 4.5 V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
,
漏源极电压（ V）
I
D
,
漏电流（ A）
图14.在区域特征
图15.归一通电阻与漏
电流和栅极电压
40
源导通电阻
(
m
Ω
)
1.6
归
漏极至源极导通电阻
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
r
DS （ON ） ，
漏
36
32
28
24
20
16
12
8
4
2
T
J
= 25
o
C
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 12 A
T
J
= 125
o
C
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
4
6
8
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图16.归一导通电阻
VS结温
图17.导通电阻与栅极到
源极电压
60
50
I
D
，漏电流（ A）
I
S
，反向漏电流（ A）
100
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V
10
T
J
= 150
o
C
40
30
T
J
= 150
o
C
1
T
J
= 25
o
C
20
T
J
= 25
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
10
T
J
= -55
o
C
0
1
2
3
4
5
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图18.传输特性
图19.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
2011仙童半导体公司
FDMS7606 Rev.C
7
www.fairchildsemi.com
