<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD01MUS2B
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管527MHz ， 1W
等效电路测试电路（ F = 527MHz ）
C1
1000 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C2
10 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C3
33 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C4
22 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C5
12 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C6
3 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C7
1000 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C8
0.022
μF
片式陶瓷Capacitiors
C9
1000 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C10
82 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C11
82 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C12
0.022
μF
片式陶瓷Capacitiors
C13
1000 pF的
片式陶瓷Capacitiors
C14
22
μF
电解Capacitior
4.7K欧姆
R1
贴片电阻
R2
100欧姆
贴片电阻
R3
0欧姆
贴片电阻
8 nH的
漆包线2Turns ， D： 0.23毫米，内部： 1.1毫米
L1
8 nH的
漆包线2Turns ， D： 0.23毫米，内部： 1.1毫米
L2
12 nH的
漆包线3Turns ， D： 0.23毫米，内部： 1.1毫米
L3
12 nH的
漆包线3Turns ， D： 0.23毫米，内部： 1.1毫米
L4
29 nH的
漆包线6Turns ， D： 0.40毫米，内部： 1.6毫米
L5
*电感的线圈滚动测量条件： F = 100MHz的
出版日期： Nov.2011
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