<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD01MUS2B
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管527MHz ， 1W
900MHz的频段典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
频率特性@ F = 890-941MHz
1.8
1.6
Po
1.4
1.2
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
VGG宝特性@ F =九百一十五分之八百九/ 941MHz
90
80
70
60
漏艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
4.0
3.5
3.0
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
80
ηd
70
60
Ta=+25
℃
f=890/915/941MHz
Pin=30mW
Vds=7.2V
IDQ = 40毫安
<Graph Line>
F = 890MHz
： F = 915MHz的
F = 941MHz
ηd
<Condition>
PIN = 30mW的， VDS = 7.2V
IDQ = 40毫安（ @ VDS = 7.2V ，V GS形容词）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
50
40
1.0
0.8
0.6
50
40
30
Po
Gp
30
20
10
Gp
0.4
0.2
0.0
880
890
900
910
920
930
940
F（兆赫）
国际直拨电话
20
10
0
950
国际直拨电话
0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VGG （ V）
0
销宝VS特性@ F = 915分之890 / 941MHz
40
35
宝（DBM ） ，GP （分贝） ，国际直拨电话（ A）
<Graph Line>
F = 890MHz
： F = 915MHz的
F = 941MHz
Ta=+25℃
f=890/915/941MHz
Vds=7.2V
IDQ = 40毫安
VDD -宝特性@ F =九百一十五分之八百九/ 941MHz
80
70
60
排水艾菲（ ％ ）
4.0
3.5
3.0
噘嘴（W ） ，国际直拨电话（ A）
80
ηd
70
60
<Graph Line>
F = 890MHz
： F = 915MHz的
F = 941MHz
Ta=+25
℃
f=890/915/941MHz
Pin=30mW
Idq=40mA
30
25
20
15
Po
10
5
0
-10
-5
0
5
PIN （ DBM）
10
15
20
ηd
国际直拨电话
Gp
50
40
30
20
10
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3
Po
50
40
30
Gp
20
国际直拨电话
10
0
4
5
6
7
Vdd的（V）的
8
9
10
脚VS PoCHARACTERISTICS @ F =九百一十五分之八百九/ 941MHz
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
宝（ W）国际直拨电话（ A）
80
ηd
70
60
排水艾菲（ ％ ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
10
20
30
销（MW ）
40
50
60
Po
Ta=+25℃
f=890/915/941MHz
Vds=7.2V
IDQ = 40毫安
50
40
<Graph Line>
F = 890MHz
： F = 915MHz的
F = 941MHz
30
20
10
国际直拨电话
0
出版日期： Nov.2011
10
漏艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
漏艾菲（％ ）的Gp （ dB）的
