<硅射频功率MOS FET （分立）
＆ GT ;
RD01MUS2B
符合RoHS指令，硅MOSFET功率晶体管527MHz ， 1W
典型特征
（这些仅仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线）。
4
通道耗散P沟（W）的
...
频道耗散主场迎战
环境温度
2.5
VGS -IDS特征
Ta=+25
℃
Vds=10V
2.0
* 1：印刷电路板的材料
环氧玻璃（T = 0.6 MM）
3
在PCB （ * 1 ）与散热片
1.5
IDS （ A）
2
1.0
1
在PCB （ * 1 ）
0.5
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （ ° C）
VDS- IDS特征
3.0
Vgs=10V
200
0.0
0
1
2
VGS （ V）
3
4
5
VDS VS.西塞特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
Ta=+25
℃
f=1MHz
Ta=+25℃
2.5
VGS = 9V
VGS = 8V
VGS = 7V
VGS = 6V
VGS = 5V
2.0
VGS = 4V
1.5
VGS = 3V
1.0
0.5
VGS = 2V
0.0
0
2
4
VDS （ V）
6
8
10
西塞（PF ）
IDS （ A）
5
10
VDS （ V）
15
20
VDS VS. CRSS特性
4
Ta=+25
℃
f=1MHz
VDS VS.科斯特性
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
Ta=+25
℃
f=1MHz
3
2
1
0
0
5
10
VDS （ V）
15
20
COSS （PF ）
CRSS （PF ）
5
10
VDS （ V）
15
20
出版日期： Nov.2011
3
