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静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA07H4452M
RA07H4452M
07H4452
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率，
和输入VSWR与频率的关系
14
输出功率P
OUT
(W)
输入VSWR
ρ
in
(-)
12
10
8
6
4
2
0
430
ρ
in
@P
OUT
=7W
η
T
@P
OUT
=7W
V
DD
=12.5V
P
in
=20mW
P
OUT
@V
GG
=3.5V
2
nd
, 3
rd
谐波与频率的关系
-20
谐波（ DBC）
-30
-40
-50
-60
-70
430
3
rd
@P
OUT
=7W
V
DD
=12.5V
P
in
=20mW
2
@P
OUT
=7W
nd
140
120
总有效率
η
T
(%)
100
80
60
40
20
0
530
450
470
490
510
频率f（ MHz）的
450
470
490
510
频率f（ MHz）的
530
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
40
30
20
10
0
-15 -10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
Gp
P
OUT
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
50
漏电流I
DD
(A)
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
40
30
20
I
DD
P
OUT
Gp
5
4
3
2
f=440MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=3.5V
5
4
3
2
f=480MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=3.5V
I
DD
1
0
10
0
-15
-10
-5
0
5
1
0
20
10
15
输入功率P
in
（ dBm的）
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率
P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
40
30
20
I
DD
P
OUT
Gp
5
4
3
2
f=520MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=3.5V
10
0
-15
-10
-5
0
5
1
0
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
输出功率和漏电流
与漏极电压
15
输出功率P
OUT
(W)
12
9
6
I
DD
f=440MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
=20mW
P
OUT
漏电流I
DD
(A)
输出功率和漏电流
与漏极电压
5
漏电流I
DD
(A)
输出功率P
OUT
(W)
4
3
2
1
0
15
12
9
6
3
0
2
4
6
8
10
漏极电压V
DD
(V)
12
I
DD
f=480MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
=20mW
P
OUT
5
4
3
2
1
0
漏电流I
DD
(A)
3
0
2
4
6
8
10
漏极电压V
DD
(V)
12
RA07H4452M
漏电流
I
DD
(A)
2010年6月28日
3/9
